Главная страница  Транзисторные схемы 

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 [ 73 ] 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217 218 219 220 221 222 223

Схема с общим коллекторол?. Эта схема (см. рис. 4-4, в) имеет много общего со схемой ОЭ, потому что в обеих управляющим током является ток базы, а выходные токи (/ или /J, как известно, различаются незначительно. Поэтому семейство выходных характеристик будет практически таким же, как на рис. 4-21, а, если ток кол- лектора заменить током эмиттера. Переходные и частотные свойства схемы ОК почти совпадают со свойствами схемы ОЭ, так как они определяются коэффициентом передачи

мало отличающимся от р.

4-8. РАЗНОВИДНОСТИ ЭКВИВАЛЕНТНЫХ СХЕМ

Т-образные эквивалентные схемы, которые мы рассмотрели и которыми будем пользоваться в дальнейшем, не являются единственно возможньми. В литературе можно встретить ряд других схем [58, 60], из которых чаще всего встречается П-образная эквивалентная схема. Кроме того, нередко (особенно в справочной литературе) транзистор рассматривается как бесструктурный четырехполюсник с той или иной системой параметров.

г обр

вх~Уобр

2 -О

~оф Эбз

--ОО

\9нз

Рис. 4-25. П-образные эквивалентные схемы ОЭ.

а - основная; 6 - модифицированная (гибридная).

П-образные эквивалентные схемы. Основная П-образная схема для включения ОЭ показана на рис. 4-25, а а ее вариант, в котором выделено сопротивление базы, - на рис. 4-25, б. Как видим, в обеих схемах используются проводимости - комплексные (F) или активные (g), а в качестве усилительного параметра используется крутизна. S. Остановимся подробнее на гибридной П-образной схеме (рис. 4-25, б) как более распространенной и более специфичной для транзисторов.

Установим связь между параметрами П- и Т-образной схем (рис. 4-25, б и 4-24). Для этого сначала рассмотрим область низких частот, пренебрегая емкостями и частотной зависимостью параметров. Кроме того, исключим из рассмотрения сопротивление Гб. одинаковое для обеих схем. Тогда в каждой схеме останется по четыре



параметра: ggs, ё&к, Якэ. S и г, fik, rS, р. Чтобы выразить одни параметры через другие, необходимы четыре уравнения. Такие уравнения получанэтся, если, например, приравнять входные (базовые) и выходные (коллекторные) токи в обеих схемах при заданном входном напряжении (между точками Б к Э) и коротком замыкании на выходе, а затем приравнять выходные (коллекторные) токи и входные (базовые) напряжения при заданном выходном напряжении и холостом ходе на входе. Точные решения несколько громоздки, поэтому имеет смысл принять некоторые несущественные ограничения, а именно: Гэ rj; Цэк < 1- Тогда с учетом соотношения (4-26) связь между параметрами оказывается весьма просто?!:

5 = --: (4-95а)

-=71)77 . <4-95б)

(4-95В)

g , = = . (4.95Г)

Подобно тому, как внутренние параметры Т-образной схемы связаны соотношением (4-26), параметры П-образной схемы, в чем легко убедиться, связаны соотношением

gwg63 = Sg6k. (4-96)

Теперь рассмотрим область высших частот, т. е. учтем на рис. 4-24 емкости Ск и Св. (последняя занимает то же место, что и Сд), а на рис. 4-25, б - емкости Сб-к и C-a, кроме того, коэффициент р и крутизну S будем считать комплексными величинами. Тогда методика, аналогичная предыдущей, приводит к следующим результатам:

l-f/coTa

I . 1 + /штк

Кбк = si; = ёбк (1 + /сотк); (4-97B)

Укз=-т-Якз-. (4-97Г)

Структура проводимости Увк соответствует параллельному соединению низкочастотного сопротивления 2г и емкости CJ2. Следовательно,

Сбк = С /2. (4-98)

Структура проводимости Кбэ соответствует параллельнол1у соединению низкочастотного сопротивления (1 -- Р) и эквивалент-



ной емкости:

Таким образом, в П-образной схеме в отличие от Т-образной частотная зависимость сосредоточена во входной цепи (Тб-э = = Тр), а параметр выходной цепи - крутизна S - зависит от частоты сравнительно слабо (т = т ).

Параметры основной П-образной схемы (рис. 4-25, а) в принципе нетрудно получить с помощью формул (4-97), учтя наличие сопротивления rg на входе. Однако параметры этой схемы оказываются частотно-зависимыми, что в общем случае весьма неудобно. Поэтому собственно П-образная схема используется лишь при анализе избирательных схем с практически постоянной рабочей частотой.

Параметры транзистора как четырехполюсника. Поскольку в Т- иП-образных схемах внутренняя базовая точка Б недоступна для подключения измерительных приборов, в справочной литературе обычно -

приводят параметры транзисторов, из- щ меренные со стороны внешних зажимов. q При этом транзистор рассматривается как черный ящик , т. е. четырехпо- pj,(. 4.26. Блок-схерла четы-люсник с произвольной внутренней рехполюсника с Л-парамет-структурой. Четырехполюсник может рами,

характеризоваться различными системами параметров в зависимости от того, какие величины (из двух токов и двух напряжений) принимаются за аргументы, а какие - за функции.

Как известно, все системы параметров четырехполюсника в принципе равноценны, но по ряду причин большим распространением в транзисторной технике пользуется так называемая смешанная h-cucmema, в которой на входе осуществляется режим холостого хода (задается режимный ток), а на выходе - режим короткого замыкания (задается режимное напряжение). Эта система соответствует принятым нами режимным величинам и U, или /б и

Система уравнений четырехполюсника в /i-системе записывается следующим образом (рис. 4-26):

Uihih + KU; (4-ШОа)

h = Kh-fkJU. (4-1006)

Отсюда видно, что параметр /г,] есть входное сопротивление при коротком замыкании на выходе; Ь - коэффициент обратной передачи напряжения при холостом ходе на входе; - коэффициент прямой передачи тока при коротком замыкании на выходе;

- выходная проводимость при холостом токе на входе. Эти определения лел<ат в основе соответствующих измерений.



1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 [ 73 ] 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217 218 219 220 221 222 223

© 2000 - 2021 ULTRASONEX-AMFODENT.RU.
Копирование материалов разрешено исключительно при условии цититирования.