список литературы

1. Иоффе А Ф. Полупроводники в современной физике. М.-Л., Изд-во АН СССР, 1954. 355 с.

2. Шокли В. Теория электронных полупроводников. М., Йзд-во иностр. лит., 1953. 714 с.

3. Колосов А А, Горбунов Ю. И., Наумов Ю.. Е. Полупроводниковые твердые схемы. М., Советское радио , 1965. 501 с.

4. Даилэп У. Введение в физику полупроводников. М., Изд-во иностр. лит., 1959. 430 с.

5. Spenke Е. Elektronische Halbleiter, 1956. ((Electronic Semiconductom. McGraw-Hill, 1958. 394 p.

6. Шпольский Э. В. Атомная физика. Т. 1. М., Наука , 1974 . 576 с.

7. Киреев П. С. Физика полупроводников. М., Высшая школа , 1969.

590 с.

8. СВЧ-полупроводниковые приборы и их применение. Под ред. Г. Уот-сона. Пер. с англ. под ред. B.C. Эткина, М., Мир , 1972. 662 с.

9. Ноздрев В. Ф., Сеикевнч А. А. Курс статистической физики. М., Высшая школа , 1965. 288 с.

10. Смит р. Полупроводники. М., Изд-во иностр. лит., 1962. 467 с.

11. Миддлбрук р. Введение в теорию транзисторов. М., Атомиздат, 1960. 304 с.

12. Транзисторы (справочник). Под ред. И. Ф. Николаевского. М., Связь , 1969. 623 с.

13. Varnerin L. J. Stored charge method of transistor base transit time analysis. - Proc. IRE . 1959, № 4, p. 523-527.

14. Спиридонов H. C. Основы теории транзисторов. Киев, Техника , 1975. 359 с.

15. Пасынков В. В., Чиркин Л. К-, Шинков А Д. Полупроводниковые приборы. М., Высшая школа , 1973.. 398 с.

16. Полупроводниковые диоды. Параметры, методы измерений. Под ред. Н. Н. Горюнова и Ю. Р. Носова, М., Советское радио , 1968. 304 с. с ил.

17. Шокли В., Рид В. Статистика рекомбинации дырок и электронов. - В кн.: Полупроводниковые электронные приборы. М., Изд-во иностр. лит., 1953, с. 121-140. ~ -

18. Нэвон Д., Брей р., Фен Г. Время жизни инъектированных носителей зарядов в германии. - В кн.: Полупроводниковые электронные приборы. М., Изд-во иностр. лит., 1953, с. 171-183.

19. Иглицын М. И., Концевой Ю. А., Сидоров А. И. Время жизни неравно-вес1шх носителей заряда в германии при произвольных уровнях инжекции. - ЖТФ, 1957, № 11, с. 2461-2468.

20. Стефенсон А., Кейс Р. Измерения скорости поверхностной рекомбинации иа поверхности германия. - В кн.: Электрофизические свойства германия и кремния. М., Советское радио , 1956, с. 367-372.

21. Мак-Кельви Дж., Лонжини Р. Скорость объемной и поверхностгюй рекомбинации носителей зарядов, инъектированных в германии. -т В кн.: Электрофизические свойства германия и кремния. М., Советское радио , 1956, с. 350-366.

22. Диткин В. А., Кузнецов П. И. Справочник по операционному исчислению. М.-Л., Гостехиздат, 1951, 255 с.

.23. Янке е., Эмде Ф. Таблицы функций. М,-Л., Гостехиздат, 1949. 416 с.

24. Shockley W. The theory of p-n junctions in semiconductors and p-n junction transistors. - Bell System Technical Journal*. 1949, vol. 28, p. 435-480.

25. Адирович Э. И., Рябинкин Ю. С, Темко К- В. Равновесное распределение потенциала, поля и концентрации носителей заряда на вплавленных переходах. - ЖТФ, 1958, т. XXVIII, вып. 1, с. 55-66.

26. Moll J. The evolution of the theory for the voltage-current characteristic of p-n junctions. - Proc. IRE , 1958, № 6, p. 10761082.

27. Пикус Г. E. Основы теории полупроводниковых приборов. М., Наука , 1965. 448 с.

28. Gunn J. В. On carrier accumulation and the properties of certain semiconductor junctions. - Journ. Electron. Control*, 1958, № 4, p. 17-50.

29. Давыдов A. C. Квантовая механика. М., Наука , 1973. 704 с.

30. Давидов П. Д. Анализ и расчет тепловых режимов полупроводниковых приборов. М., <<Энергия , 1967. 144 с.

31. Sah С, Noyce R., Shockley W. Carrier generation and recombination in p-n junctions and p-n junction characteristics. - Proc. IRE , 1957, № 9, p. 1228-1243.

32. Литвинов P. 0. Влияние поверхности на,характеристики полупроводниковых приборов. Киев, Наукова думка , 1972, 116 с.

33. Замечания относительно тока SnHepaa переходах. - В ки.: Полупроводниковые электронные приборы. М., Изд-во иностр. лит.,. 1953, с. 111-113. Авт.: К. Мак-Эффи, Е. Райдер, В. Шокли, М. Спаркс.

34. Красилов А. В., Трутко А. Ф. Методы расчета транзисторов. М., Энергия , 1964. 224 с.

35. Шотов А. П. Об ударной ионизации в германиевых переходах. - ЖТФ, 1958, № 3, с. 437-448.

36. Niatz А. Thermal turnover in germanium р-п junctions. - Ргос. IEE , p. В, 1957, vol. 104, p. 555-564.

37. Madigan J. Thermal characteristics of silicon diodes. - Electronic Industries , 1959, № 12, p. 23-27; 1960, № 1, p. 3-5.

38. Barnes F. The forward switching transient in semiconductor diodes at large currents. - Ргос. IRE , 1958, № 7, p. 1427-1428.

39. Стафеев В. И. Влияние сопротивления толщи полупроводника на вид вольт-амперной характеристики диода.-ЖТФ, 1958, № 8, с. 1631-1641.

40. Стафеев В. И. К вопросу о вольт-амперной характеристике диода при сверхвысоких уровнях инжекции. - Физика твердого тела , 1959, № 6, с. 848- 850.

41. Авакьянц Г. М., Мурыгин В. И., Тешабаев А. Некоторые свойства диодов с большим отношением длины базы к диффузионной длине неосновных носителей. - Радиотехника и электроника , 1963, № 5, с. 821-829.

42. Адирович Э. И., Кузнецова Е. М. О емкости и электрическом пробое р-п переходов. - Радиотехника и электроника , 1959, № 10, с. 1708- 1717.

43. Носов Ю. Р. Переходные характеристики полупроводниковых диодов.- В кн.: Полупроводниковые приборы и их применение. М., Советское радио , 1960, вып. 4, с. 3-38.

44. Носов Ю. Р. Полупроводниковые импульсные .диоды. М., Советское радио , 1965. 224 с.

45. Степаненко И. П. Переходные характеристики полупроводникового плоскостного диода. - Изв. вузов. Радиотехника , 1961, № 2, с. 175-184.

46. Lax В., Neustadter S. Transient response of р-п junction. - Journ. Appl. Phys. , 1954, № 9, p. И48-1154.

47. К вопросу об электрической формовке точечных германиевых диодов. - Изв. вузов. Физика , 1960, № 4, с. 98-106. Авт.: В. М. Грика, С. С. Гуткин, В. М. Матошин, М. Г. Сербуленко.

48. Лосев О. В. Детектор-генератор, детектор-усилитель. - Телеграфия и телефония без проводов , 1922, № 14, с. 380 и 385.

49. Физические основы работы полупроводниковых СВЧ диодов. М., Советское радио , 1965. 188 с. Авт.: С. Н. Иванов, Н. А. Пении, Н. В. Сквор-цова, Ю. Ф. Соколов.

50. Вершин В. Е. Быстродействующие полупроводниковые переключатели М., Энергия . 1965. 103 с.

51. Esaki L. New phenomenon in narrow germanium p-n junctions. - Phys. Rev. , 1959, vol. 109 (2), p. 603-604.

52. Чжоу В. Ф. Принципы построения схем на туннельных диодах. М., Мир , 1966. 447 с.

53. Мадоян С. Г., Тиходёев Ю. С, Трутко А. Ф. Туннельный диод. - В кн.: Полупроводниковые приборы и их применение. М., Советское радио , 1961, вып. 7, с. 35-54.

54. Сидоров А. С. Теория и проектирование нелинейных импульсных схем на туннельных диодах. М., Советское радио , 1971. 264 с.

55. Котт В. JVL, Гаврилов Г. К-, Баваров С. Ф. Туннельные диоды в вычислительной технике. М., Советское радио , 1967. 216 с.

56. Эрлн Д. Расширение слоя пространственного заряда в плоскостном триоде. - В кн.: Полупроводниковая электроника. М., Изд-во иностр. лит., 1955, с. 105-115.

57. Ebers J. J., JVloll J. L. Large-signal behaviour of junction transistors. - Proc. IRE , 1954, № 12, p. 1761-1772.

58. Федотов Я- A. Основы физики полупроводниковых приборов. М., Советское радио , 1969. 592 с.

59. Эрли Д. Теоретический расчет плоскостных транзисторов. - В кн.: Полупроводниковая электроника. М., Изд-во иностр. лит., 1955, с. 116-149.

60. Транзисторы. Параметры, методы измерений и испытаний. Под ред. И. Г. Бергельсона. М., Советское радио , 1968. 504 с.

61. Адирович Э. и., Колотилова В. Г. Переходные характеристики полупроводниковых триодов.-ДАН, 1955, т. 105, № 4, с. 709-714.

62. Эрглис К. Э., Степаненко И. П. Электронные усилители. Изд. 2-е. М., Наука , 1964. 540 с.

63. Webster W. On the variation of junction transistor current amplification with emitter current. - Proc. IRE , 1954, № 6, p. 914-920.

64. Sah Ch. T. Effect of surface recombination on p-n junction and transistor characteristics. - IRE Trans. , 1962, ED-9, № 1, p. 94-108.

65. Das M., Boothroyd A. Determination of physical parameters of diffusion and drift transistors. - IRE Trans. , 1961, ED-8, № 1, p. 15-30.

66. Справочник no полупроводниковым диодам, транзисторам и интегральным схемам. Под ред. Н. Н. Горюнова. М., Энергия , 1972. 568 с.

67. Теория и расчет основных радиотехнических схем на транзисторах. М., Связь , 1964. 455 с.

68. Ризкин А А> Полупроводниковые усилители. М., Связьиздат, 1961. 120 с.

69. Герасимон С. М., Мигулин и. Н., Яковлев В. Н. Основы теории и расчета транзисторных схем. М., Советское радио , 1963. 664 с. с ил.

70.. Ван-Дер-Зил А. Флуктуационные явления в полупроводниках. M.j Изд-во иностр. лит., 1961. 232 с.

71. De Witt D., Rossotf A. Transistor electronics. McGraw-Hill, 1957. 374 p.

72. Архипов В. К., Злобин А и., Степаненко И. П. Экспериментальное исследование шумов германиевых триодов. - В кн.: Использование полупроводниковых приборов в узлах электронной аппаратуры. М., Госэнергоиздат, 1958, с. 68-77.

73. Куркин Ю. Л., Соколов А А. Расчет схемы составного транзистора.- Электричество , 1959, № 8, с. 66-71.

74. Кремниевые планарные транзисторы. Под ред. Я. А. Федотова. М., Советское радио , 1973. 336 с. Авт.: В. Г. Колесников, В. И. Никишин, В. Ф. Сыноров и др.

75. Дрейфовые полупроводниковые приборы. Сборник переводов. Гостехиздат УССР, 1960. 237 с.

76. Das М., Boothroyd А. Impurity-density distribution in the base region of drift transistors. - IRE Trans. , 1961, ED-8, № 6, p. 15-30.

77 Widlar R. J. Design techniques for monolithic operational amplifiers. - 1ЕЕЕ Journ. of Solid-state Circuits*, Aug. 1969, SC-4, p. 184-188.