Главная страница  Транзисторные схемы 

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 [ 217 ] 218 219 220 221 222 223

список литературы

1. Иоффе А Ф. Полупроводники в современной физике. М.-Л., Изд-во АН СССР, 1954. 355 с.

2. Шокли В. Теория электронных полупроводников. М., Йзд-во иностр. лит., 1953. 714 с.

3. Колосов А А, Горбунов Ю. И., Наумов Ю.. Е. Полупроводниковые твердые схемы. М., Советское радио , 1965. 501 с.

4. Даилэп У. Введение в физику полупроводников. М., Изд-во иностр. лит., 1959. 430 с.

5. Spenke Е. Elektronische Halbleiter, 1956. ((Electronic Semiconductom. McGraw-Hill, 1958. 394 p.

6. Шпольский Э. В. Атомная физика. Т. 1. М., Наука , 1974 . 576 с.

7. Киреев П. С. Физика полупроводников. М., Высшая школа , 1969.

590 с.

8. СВЧ-полупроводниковые приборы и их применение. Под ред. Г. Уот-сона. Пер. с англ. под ред. B.C. Эткина, М., Мир , 1972. 662 с.

9. Ноздрев В. Ф., Сеикевнч А. А. Курс статистической физики. М., Высшая школа , 1965. 288 с.

10. Смит р. Полупроводники. М., Изд-во иностр. лит., 1962. 467 с.

11. Миддлбрук р. Введение в теорию транзисторов. М., Атомиздат, 1960. 304 с.

12. Транзисторы (справочник). Под ред. И. Ф. Николаевского. М., Связь , 1969. 623 с.

13. Varnerin L. J. Stored charge method of transistor base transit time analysis. - Proc. IRE . 1959, № 4, p. 523-527.

14. Спиридонов H. C. Основы теории транзисторов. Киев, Техника , 1975. 359 с.

15. Пасынков В. В., Чиркин Л. К-, Шинков А Д. Полупроводниковые приборы. М., Высшая школа , 1973.. 398 с.

16. Полупроводниковые диоды. Параметры, методы измерений. Под ред. Н. Н. Горюнова и Ю. Р. Носова, М., Советское радио , 1968. 304 с. с ил.

17. Шокли В., Рид В. Статистика рекомбинации дырок и электронов. - В кн.: Полупроводниковые электронные приборы. М., Изд-во иностр. лит., 1953, с. 121-140. ~ -

18. Нэвон Д., Брей р., Фен Г. Время жизни инъектированных носителей зарядов в германии. - В кн.: Полупроводниковые электронные приборы. М., Изд-во иностр. лит., 1953, с. 171-183.

19. Иглицын М. И., Концевой Ю. А., Сидоров А. И. Время жизни неравно-вес1шх носителей заряда в германии при произвольных уровнях инжекции. - ЖТФ, 1957, № 11, с. 2461-2468.

20. Стефенсон А., Кейс Р. Измерения скорости поверхностной рекомбинации иа поверхности германия. - В кн.: Электрофизические свойства германия и кремния. М., Советское радио , 1956, с. 367-372.

21. Мак-Кельви Дж., Лонжини Р. Скорость объемной и поверхностгюй рекомбинации носителей зарядов, инъектированных в германии. -т В кн.: Электрофизические свойства германия и кремния. М., Советское радио , 1956, с. 350-366.

22. Диткин В. А., Кузнецов П. И. Справочник по операционному исчислению. М.-Л., Гостехиздат, 1951, 255 с.

.23. Янке е., Эмде Ф. Таблицы функций. М,-Л., Гостехиздат, 1949. 416 с.



24. Shockley W. The theory of p-n junctions in semiconductors and p-n junction transistors. - Bell System Technical Journal*. 1949, vol. 28, p. 435-480.

25. Адирович Э. И., Рябинкин Ю. С, Темко К- В. Равновесное распределение потенциала, поля и концентрации носителей заряда на вплавленных переходах. - ЖТФ, 1958, т. XXVIII, вып. 1, с. 55-66.

26. Moll J. The evolution of the theory for the voltage-current characteristic of p-n junctions. - Proc. IRE , 1958, № 6, p. 10761082.

27. Пикус Г. E. Основы теории полупроводниковых приборов. М., Наука , 1965. 448 с.

28. Gunn J. В. On carrier accumulation and the properties of certain semiconductor junctions. - Journ. Electron. Control*, 1958, № 4, p. 17-50.

29. Давыдов A. C. Квантовая механика. М., Наука , 1973. 704 с.

30. Давидов П. Д. Анализ и расчет тепловых режимов полупроводниковых приборов. М., <<Энергия , 1967. 144 с.

31. Sah С, Noyce R., Shockley W. Carrier generation and recombination in p-n junctions and p-n junction characteristics. - Proc. IRE , 1957, № 9, p. 1228-1243.

32. Литвинов P. 0. Влияние поверхности на,характеристики полупроводниковых приборов. Киев, Наукова думка , 1972, 116 с.

33. Замечания относительно тока SnHepaa переходах. - В ки.: Полупроводниковые электронные приборы. М., Изд-во иностр. лит.,. 1953, с. 111-113. Авт.: К. Мак-Эффи, Е. Райдер, В. Шокли, М. Спаркс.

34. Красилов А. В., Трутко А. Ф. Методы расчета транзисторов. М., Энергия , 1964. 224 с.

35. Шотов А. П. Об ударной ионизации в германиевых переходах. - ЖТФ, 1958, № 3, с. 437-448.

36. Niatz А. Thermal turnover in germanium р-п junctions. - Ргос. IEE , p. В, 1957, vol. 104, p. 555-564.

37. Madigan J. Thermal characteristics of silicon diodes. - Electronic Industries , 1959, № 12, p. 23-27; 1960, № 1, p. 3-5.

38. Barnes F. The forward switching transient in semiconductor diodes at large currents. - Ргос. IRE , 1958, № 7, p. 1427-1428.

39. Стафеев В. И. Влияние сопротивления толщи полупроводника на вид вольт-амперной характеристики диода.-ЖТФ, 1958, № 8, с. 1631-1641.

40. Стафеев В. И. К вопросу о вольт-амперной характеристике диода при сверхвысоких уровнях инжекции. - Физика твердого тела , 1959, № 6, с. 848- 850.

41. Авакьянц Г. М., Мурыгин В. И., Тешабаев А. Некоторые свойства диодов с большим отношением длины базы к диффузионной длине неосновных носителей. - Радиотехника и электроника , 1963, № 5, с. 821-829.

42. Адирович Э. И., Кузнецова Е. М. О емкости и электрическом пробое р-п переходов. - Радиотехника и электроника , 1959, № 10, с. 1708- 1717.

43. Носов Ю. Р. Переходные характеристики полупроводниковых диодов.- В кн.: Полупроводниковые приборы и их применение. М., Советское радио , 1960, вып. 4, с. 3-38.

44. Носов Ю. Р. Полупроводниковые импульсные .диоды. М., Советское радио , 1965. 224 с.

45. Степаненко И. П. Переходные характеристики полупроводникового плоскостного диода. - Изв. вузов. Радиотехника , 1961, № 2, с. 175-184.

46. Lax В., Neustadter S. Transient response of р-п junction. - Journ. Appl. Phys. , 1954, № 9, p. И48-1154.

47. К вопросу об электрической формовке точечных германиевых диодов. - Изв. вузов. Физика , 1960, № 4, с. 98-106. Авт.: В. М. Грика, С. С. Гуткин, В. М. Матошин, М. Г. Сербуленко.

48. Лосев О. В. Детектор-генератор, детектор-усилитель. - Телеграфия и телефония без проводов , 1922, № 14, с. 380 и 385.

49. Физические основы работы полупроводниковых СВЧ диодов. М., Советское радио , 1965. 188 с. Авт.: С. Н. Иванов, Н. А. Пении, Н. В. Сквор-цова, Ю. Ф. Соколов.



50. Вершин В. Е. Быстродействующие полупроводниковые переключатели М., Энергия . 1965. 103 с.

51. Esaki L. New phenomenon in narrow germanium p-n junctions. - Phys. Rev. , 1959, vol. 109 (2), p. 603-604.

52. Чжоу В. Ф. Принципы построения схем на туннельных диодах. М., Мир , 1966. 447 с.

53. Мадоян С. Г., Тиходёев Ю. С, Трутко А. Ф. Туннельный диод. - В кн.: Полупроводниковые приборы и их применение. М., Советское радио , 1961, вып. 7, с. 35-54.

54. Сидоров А. С. Теория и проектирование нелинейных импульсных схем на туннельных диодах. М., Советское радио , 1971. 264 с.

55. Котт В. JVL, Гаврилов Г. К-, Баваров С. Ф. Туннельные диоды в вычислительной технике. М., Советское радио , 1967. 216 с.

56. Эрлн Д. Расширение слоя пространственного заряда в плоскостном триоде. - В кн.: Полупроводниковая электроника. М., Изд-во иностр. лит., 1955, с. 105-115.

57. Ebers J. J., JVloll J. L. Large-signal behaviour of junction transistors. - Proc. IRE , 1954, № 12, p. 1761-1772.

58. Федотов Я- A. Основы физики полупроводниковых приборов. М., Советское радио , 1969. 592 с.

59. Эрли Д. Теоретический расчет плоскостных транзисторов. - В кн.: Полупроводниковая электроника. М., Изд-во иностр. лит., 1955, с. 116-149.

60. Транзисторы. Параметры, методы измерений и испытаний. Под ред. И. Г. Бергельсона. М., Советское радио , 1968. 504 с.

61. Адирович Э. и., Колотилова В. Г. Переходные характеристики полупроводниковых триодов.-ДАН, 1955, т. 105, № 4, с. 709-714.

62. Эрглис К. Э., Степаненко И. П. Электронные усилители. Изд. 2-е. М., Наука , 1964. 540 с.

63. Webster W. On the variation of junction transistor current amplification with emitter current. - Proc. IRE , 1954, № 6, p. 914-920.

64. Sah Ch. T. Effect of surface recombination on p-n junction and transistor characteristics. - IRE Trans. , 1962, ED-9, № 1, p. 94-108.

65. Das M., Boothroyd A. Determination of physical parameters of diffusion and drift transistors. - IRE Trans. , 1961, ED-8, № 1, p. 15-30.

66. Справочник no полупроводниковым диодам, транзисторам и интегральным схемам. Под ред. Н. Н. Горюнова. М., Энергия , 1972. 568 с.

67. Теория и расчет основных радиотехнических схем на транзисторах. М., Связь , 1964. 455 с.

68. Ризкин А А> Полупроводниковые усилители. М., Связьиздат, 1961. 120 с.

69. Герасимон С. М., Мигулин и. Н., Яковлев В. Н. Основы теории и расчета транзисторных схем. М., Советское радио , 1963. 664 с. с ил.

70.. Ван-Дер-Зил А. Флуктуационные явления в полупроводниках. M.j Изд-во иностр. лит., 1961. 232 с.

71. De Witt D., Rossotf A. Transistor electronics. McGraw-Hill, 1957. 374 p.

72. Архипов В. К., Злобин А и., Степаненко И. П. Экспериментальное исследование шумов германиевых триодов. - В кн.: Использование полупроводниковых приборов в узлах электронной аппаратуры. М., Госэнергоиздат, 1958, с. 68-77.

73. Куркин Ю. Л., Соколов А А. Расчет схемы составного транзистора.- Электричество , 1959, № 8, с. 66-71.

74. Кремниевые планарные транзисторы. Под ред. Я. А. Федотова. М., Советское радио , 1973. 336 с. Авт.: В. Г. Колесников, В. И. Никишин, В. Ф. Сыноров и др.

75. Дрейфовые полупроводниковые приборы. Сборник переводов. Гостехиздат УССР, 1960. 237 с.

76. Das М., Boothroyd А. Impurity-density distribution in the base region of drift transistors. - IRE Trans. , 1961, ED-8, № 6, p. 15-30.

77 Widlar R. J. Design techniques for monolithic operational amplifiers. - 1ЕЕЕ Journ. of Solid-state Circuits*, Aug. 1969, SC-4, p. 184-188.



1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 [ 217 ] 218 219 220 221 222 223

© 2000 - 2021 ULTRASONEX-AMFODENT.RU.
Копирование материалов разрешено исключительно при условии цититирования.