Эйнштейна формула 61 Эквивалентная схема транзистора для

постоянных составляющих J81,

186, 215

----переменных составляю-

- щих 187, 220, 221 ----а 398

- постоянная времени коэффициента Р 343

Эквивалентный коэффициент ае 397 --Рое 335

--диффузии 140 .

Эксклюзия 86 -

Экстракция 66

Электронные оболочки атома 12 Электронный полупроводник 9

Электростатический потенциал 27, 36 Электрохимический потенциал 28 Элементарная ячейка 6 Эмит1ер 99, 173

Эмиттерное рассасывание носителей 486 Энергия активации, ионизации 10 Эффект Дембера 76, 115, 145

- оттеснения тока 237

- смыкания 215

- туннельный 69, 112, 129, 167

- Эрли 180

Эффективная концентрация примесей 21

- масса 14

- плотность состояний 25, 26

- подвижность 77 Эффективное время жизни 46, 58

ОГЛАВЛЕНИЕ

Предисловие к четвертому изданию...................... 3

ТРАНЗИСТОРЫ

Глава первая. Полупроводники......................... Ь

1-1. Введение............................... 5

1-2. Структура полупроводников и типы проводимости......... 6

1-3. Энергетические зоны твердого тела................ И

1-4. Зонная структура полупроводников ............... 19

1-5. Законы распределения носителей в зонах полупроводника ... 22

1-6. Уровень Ферми...........I............... 27

1-7. Концентрация носителей...................... 30

1-8. Подвижность носителей ...................... 37

1-9. Удельная проводимость и удельное сопротивление........ 42

ЫО. Рекомбинация носителей...................... 44

Общие сведения (44). Равновесное состояние (47). Неравновесное состояние (50). Рекомбинация на ловушках (51). Время жизни (54). Поверхностная рекомбинация (57).

1-11. Законы движения носителей заряда в полупроводниках..... 60

1-12. Объемные заряды и поля в полупроводниках.......... 63

Диэлектрическая релаксация (63). Эффект поля (66). Неоднородные полупроводники (71). Квазинейтральность (74).

1-13. Кинетика носителей заряда в полупроводниках.......... 75

Биполярная диффузия (75). Дрейф (78). Монополярная диффузия (79). Комбинированное движение (85).

Глава вторая. Полупроводниковые диоды.................. 87

2-1. Введение............................... 87

2-2. Электронно-дырочный переход................... 83

Классификация р-п переходов (88). Структура р-п перехода (90). Анализ перехода .в равновесном состоянии (РЗ). Анализ перехода в неравновесном состоянии (97). Плавные р-п переходы (102). Односторонние р-п переходы (104).

2-3. Специальные типы переходов................... 105

Переходы между примесными и собственными полупроводниками (105). Переходы между однотипными полупроводниками (106).

2-4. Контакты металл-полупроводник.................. 107

Выпрямляющие контакты (108). Невыпрямляющие (омические) . контакты (110).

2-5. Анализ идеализированного диода................. 113

Исходные предпосылки (113). Решение диффузионного уравнения (115). Вольт-амперная характеристика (117). Характеристи-f ческие сопротивления (119). Температура перехода (121).

2-6. Обратная характеристика реального диода............ 122

Тепловой ток (123). Ток термогенерации (124). Поверхностные каналы (126). Ток утечки (128). Эквивалентная схема диода.при обратном смещении (128).

2-7. Пробой перехода.......................... 129

Туннельный пробой (129). Лавинный пробой (131) . Yenловой пробой (133).

2-8. Прямая характеристика реального диода............ 134

Ток рекомбинации (134). (Сопротивление базы (135). Зависимость прямого напряжения от температуры (137). Работа диода при высоком уровне инжекции (138). Дрейфовая составляющая тока инжектированных носителей (140). Коэффициент инжекции (141). Модуляция сопротивления базы (141). Распределение токов в базе (144). Эквивалентная схема диода при прямом смещении (146).

2-9. Переходное характеристики диода................. 146

Барьерная емкость (емкость перехода) (147). Диффузионная емкость (148). Режим переключения (150). Установление прямого напряжения (151). Рассасывание избыточных носителей (154). Восстановление обратного тока (сопротивления) (157).

Глава третья Разновидности полупроводниковых диодов........ 159

3-1. Точечные диоды........................... 159

3-2. Полупроводниковые стабилитроны................ 163

3-3. Туннельные диоды......................... 166

3-4. Диоды Шоттки........................... 171

Глава четвертая. Транзисторы........................ 173

4-1. Введение............................... 173

4-2. Основные процессы в транзисторе ................ 175

Инжекция и собирание неосновных носителей (176). Распределение носителей в базе (179). Модуляция толщины базы (180).

4-3. Статические характеристики транзистора............. 181

Формулы Молла - Эберса (181). Идеализированные статические характеристики (183). Реальные статические характеристики (184)

4-4. Статические параметры транзистора............... 187

Коэффициент передачи эмиттерного тока (188). Сопротивление эмиттерного перехода (192). Сопротивление коллекторного перехода ( 92). Коэффициент обратной связи по напряжению (193). Объемное сопротивление базы (194). Тепловой ток коллектора (195)

4-5. Динамические параметры транзистора............... 196

Барьерные емкости (196). Коэффициент инжекции (196). Коэффициент переноса (197). Коэффициент передачи тока (200). Диффузионные емкости (204). Посюянная времени базы (205). Инверсные параметры (206).

4-6. Зависимость параметров от режима и температуры........ 207

Зависимость от режима (207). Зависимость от температуры (210)

4-7. Характеристики .и параметры транзистора при включении

с общим эмиттером......................... 212

Статические характеристики и параметры (212). Динамические параметры (216). Сз(ема с общим коллектором (221)

4-8. Разновидности эквивалентных схем............... 221

П-образные эквивалентные схемы (221). Параметры транзистора как четырехполюсника (223). Сравнительная оценка (225)

4-9. Собственные шумы транзистора.................. 226

Источники шумов (226). Коэффициент шума (228). Анализ коэффициента шума (230). Мощность и напряжение шума (232)

4-10. Составные транзисторы....................... 233

4-11. Допусймая мощность и особенности мощных транзисторов . . . 235 ,4-12. Дрейфовые транзисторы...................... 238