161. Наумов Ю. Е. Интегральные логические схемы. М., Советское радио , 1970. 432 с. -

162. Ицхоки Я- С, Овчинников Н. И. Импульсные и цифровые устройства. М., Советское радио , 1972. 592 с.

163. Фролкин В. Т. Импульсные устройства. М., Машиностроение , 1966. 447 с.

.164. Справочник по импульсной технике. Под ред. В. Н. Яковлева. Киев, Техника , 1970. 656 с.

165. Степаненко И. П. Статический режим триггера с эмиттерной связью. - В кн.: Полупроводниковые приборы и их применение. М., Советское радио , 1961, вып. 7, с. 321-340.

166. ВасЫе Е. Eine Transistor-Kippschaltung und ihre Anwendungen. - Elektronik , 1960, № 3, S. 68-72.

167. Степаненко И. П. Температурный и временной дрейф пороговых напряжений в транзисторйом триггере. - В кн.: Полупроводниковые приборы и их применение. М., Советское радио , вып. 8, 1962, с. 321-339.

168. Доронкии Е. ф., Воскресенский В. В. Транзисторные генераторы импульсов. М., Связь , 1965. 238 с.

169. Яковлев В. Н. Импульсные генераторы на транзисторах. Киев,- Техника , 1968. 443 с.

170. Агаханян Т. М., Фишман Л. Л. Исследование транзисторного блокинг-генератора. - Радиотехника , 1963, Ns 4, с. 50-59.

171. Расчет и проектирование импульсных устройств на транзисторах. Под ред. М. Д. Штерка, М., Советское радио , 1964. 567 с.

172. Орлов В. А. Анализ транзисторного преобразователя напряжения с емкостным накопителем. - В кн.: Полупроводниковые приборы и их применение. М., Советское радио , 1962, вып. 7, с. 260-274.

173. Источники электропитания на полупроводниковых приборах. Проектирование и расчет. Под ред. С. Д. Додика и Е. И. Гальперина. М., Советское радио , 1969. 448 с.

174. Журавлев А. А.7 Мазель К. Б. Преобразователи посаоянного напряжения иа транзисторах. М., Энергия , 1964. 95 с. с ил.

175. Киселев Л. Н. Расчет преобразователей напряжения на транзисторах. - В кн.: Полупроводниковые приборы и их применение. М., Советское радио , 1962, вып. 7, с. 275-288.

176. Софрошкин Ю. В. Переходные характеристики и устойчивость транзисторных стабилизаторов напряжения и тока. М., Энергия , 1968. 168 с. с ил.

177. Кононов Б. Н. Стабилизаторы напряжения на полупроводниковых триодах. - Приборостроение , 1956, № 10, с. 9-12.

ПРЕДМЕТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ

Аккумуляция носителей 86 Активации энергия 10 . Активная область базы 176 Активный режим 184, 461 Акцепторные примеси 10 Алкатрон 288 Анизотропия кристалла 7

База 99. 173

Барьер потенциальный 73, 93 Блокинг-генератор ждущий 572 Больцмановское равновесие 28, 71, 92 Бриллюэна зоны 18

Валентная зона 13

- связь 7 I

Включение транзистора инверсное 174, 181, 470

Внутренняя обратная связь по напряжению 181 Время диффузии 150

- дрейфа 249 Время жизни 8, 46

- задержки 179, 199, 218, 250, 346, 479

- накопления 481

- пролета 249

- рассасьшання 155, 483

- свободного пробега 38

- спада вершины импульса 341., 410

--динамического смещения 24

Вырождения критерии 29 Вырожденный полупроводник 20, 29

Генерационно-рекомбинационные центры 21

Гистерезис триггерной характеристики 536

Глубина затягивания 86

- обратной связи 358 Горячие носители 41

Граничный заряд в базе 476, 486, 500, 580

Дарлингтона схема 233, 392, 504 Двойные соединения 11 Дебаевская длина 68, 89 Дембера эффект 76, 115, 145 Демберовское поле 76, 83 Дефекты кристаллической решетки 9, 46

Динамическая нагрузка 395, 449, 504-

- отсечка 490, 519, 528 Динамическое смещение 495, 512, 520,

Диод Ганна 161

- обращенный 171

- с накоплением заряда (ДНЗ) 159 Дифференциальная составляющая сигнала 442

Дифференциальное сопротивление диода 119

--коллекторного и эмиттерного переходов 188, 192 Диффузии время 150, 198, 249

- шсителей длина 82 --коэффициент 61

--- эквивалентный 140

- примеси глубина 259 --коэффициент 258 .

- уравнение 63, 81, 189 : Диффузионная длина 82 j..

- печь 258

Диффузионное приближение 78, 81

- сопротивление базы 193 Диффузия подвижных носителей 27, 60

Диффузия примесей 257

Длина Дебая (дебаевская) 68, 89

- диффузионная 82

- свободного пробега 38 Добротность генератора пилообразного

напряжения 588

- транзистора биполярного 349

-- полевого 306 .

Донорные примеси 9

Дрейф носителей заряда 27, 36, 60

- характеристик временной 436, 549

- - температурный 428, 439, 543 Дробовой шум 226

Дырка 8, 15

Дырочный полупроводник 10

Емкость запоминающая 526

- корректирующая 350

- ускоряющая 519, 523, 524

- форсирующая 494

Ждущий мультивибратор 562

- режим блокинг-генератора 572

Задержка фронта в блокинг-генераторе 577

---ключе 478, 498, 500

---транзисторе 179, 199, 218, 250

--- триггере 530

--- усилителе 355

Запоминающая емкость 526 Запрещенной зоны ширина 18, 26 Запрещенные зоны 12 Заряд в базе 148, 180, 204, 474 --переходе 147, 474

- граничный 476, 486, 500, 580

- избыточный 476

- неравновесный 474 Заряда уравнение 475 Затвор\284

Затвора перекрытие 313 Зенеровский пробой 129 Зона валентная 13

- примесная 20

- проводимости 12

Зонная плавка 253 Зоны Бриллюэна 18

- запрещенные 12, 17

- разрешенные 12, 17

Избыточный заряд 476 Импульсное прямое сопротивление диода 154

Инверсионный слой 71, ПО, 127, 296, Инверсное включение транзистора 174,

182, 470 Инверсный режим 461 Индексы Миллера 7 Индуктивная коррекция фронта 352 Инжекции коэффициент 117, 189, 196

- уровень 81, 100, 139 Инжекция 66, 98 Интеграл ошибок 84 Интегратор Миллера 606, 609 Ионизации температура 33

- энергия 10, 21

Ионизация примесных атомов 9, 32

- ударная 131 Ионная связь 7 Исток 284

Истоковый повторитель 315 Истощенный слой 91

Канал 68, 284, 296 Канальные транзисторы 284 Каскад 328

Каскадный диодный стабилизатор 629 Каскод 316, 401 Квазиуровни Ферми 30, 101 Ковалентная связь 7 Коллектор 173

Компенсированный полупроводник 21 Контакт омический 88, ПО Контактная разность потенциалов 95, 109, 295

Конуэлл - Вайскопфа формула 39 Концентрация носителей избыточная 50 -- собственная 30

- примесей эффективная 21-Коэффициент диффузии носителей 61 -----эквивалентный 140