Главная страница  Транзисторные схемы 

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 [ 70 ] 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217 218 219 220 221 222 223

Полная аналогия с диодами имеет место в отношении температурной зависимости напряжения на эмиттерном переходе при заданном токе (см. § 2-8). Напомним, что зависимость эта почти линейна (при низких уровнях инжекции) и характеризуется отрицательной чувствительностью, близкой к 2 мВ/° С для обоих типов транзисторов - кремниевых и германиевых.

4-7. ХАРАКТЕРИСТИКИ И ПАРАМЕТРЫ ТРАНЗИСТОРА ПРИ ВКЛЮЧЕНИИ С ОБЩИМ ЭМИТТЕРОМ

Статические характеристики и параметры. При включении ОЭ (см. рис. 4-4, б) входным током является ток базы, который и примем за параметр коллекторного семейства характеристик.

Рн.доп


Рис. 4-21. Статические характеристики транзистора при включении по схеме

с общим эмиттером.

а - выходные; б - входные.


Характеристики, показанные на рис. 4-21, несколько отличаются от характеристик ОБ. Главные отличительные черты включения ОЭ, вытекающие из сравнения рис. 4-21 и 4-11, сводятся к следующему.

а) Кривые коллекторного семейства не пересекают ось ординат и полностью расположены в 1-м квадранте. Это легко понять из соотношения \и\ = /кб1 + кривые ОЭ получаются путем сдвига кривых ОБ (см. рис. 4-11, а) на величину U, которая тем больше, чем больше ток.

б) Кривые коллекторного семейства менее регулярны, чем в схеме ОБ: они имеют гораздо больший, неодинаковый наклон и заметно сгущаются при больших токах. Ток при оборванной базе (когда /g = 0) намного больше тока /о при оборванном эмиттере и зависит от выходного напряжения. Входной ток h в принципе может иметь не только положительную, но и небольшую отрицательную величину (т. е. молсет втекать в базу).



в) Напряжение пробоя, которое на рис. 4-21, а обозначено через f/p, меньше, чем в схеме ОБ, по причинам, которые будут рассмотрены ниже.

Влияние коллекторного напряжения на ток базы (рис. 4-21, б) можно понять из того, что приращение At/кэ. во-первых, вызывает приращение э. д. с. обратной связи ЦэкДУк и, во-вторых, частично падает на эмиттерном переходе. Оба эти влияния направлены навстречу друг другу, причем главную роль играет второе. Поэтому с ростом (по модулю) напряжения t/кэ кривые на рис. 4-21, б сдвигаются вправо - в сторону больших напряжений t/g.

В аналитическом виде семейство коллекторных характеристик ОЭ при работе транзистора в активном режиме (t/к < 0) получается из выражения (4-10), если в правую часть подставить очевидное соотношение /э = /к + /б и выразить ток коллектора через ток базы:

1-а \-а Гк(1-а)

Коэффициент при токе /g является интегральным тэф-фициентом передачи базового тока. Для этого важнейшего параметра введем специальное обозначение:

Р = -. (4-68)

Тогда функцию (/g) можно записать в следующей форме, аналогичной форме выражения (4-10):

/к = р/б + /ко+%. (4-69)

/о = (1+Р)/ко: (4-70)

. --н* = -1- (4-71)

Часто последним членом в (4г69) пренебрегают; тогда получается аналог выражения (4-8) *:

K = p/6 + /So. (4-72)

Минимальное звачение коллекторного тока (/к= /ко) получается при токе базы /б == -/kq. Следовательно, в диапазоне от /б=0 до /б = -/ко транзистор в схеме ОЭ может управляться отрицательным входным током, что уже от мечалось; однако такая возможность относится только к германиевым транзисторам, поскольку у кремниевых транзисторов ток / с практически равен нулю.

Величина р, входящая в формулы (4-69) и (4-72), является интегральной, так как связывает между собой полные токи Л< и /б.

* Такое пренебрежение не всегда оправдано, поскольку при этом не учитывается наклон кривых на рис. 4-21, а. Током /* можно пренебрегать только У кремниевых транзисторов и то при не очень высокой температуре (до 60-80 °С).



Из формулы (4-72) легко получить определение интегрального коэффициента передачи [ср. с (4-12а)1 *:

Р= . (4-73а)

Дифференциальный коэффициент передачи определяется по аналогии с (4-11а) как

6 = -

(4-736)

£7j,=const

Учитывая соотношение die = dl - dl, убеждаемся, что формула (4-68) действительна не только для интегрального, но и для дифференциального коэффициента передачи. Связь между Р и р устанавливается тем же путем, что и в случае а, и имеет вид [ср. с (4-126)]:

Р = Р + (/б + /ко)-. (4-74)

В дальнейшем мы пренебрежем зависимостью р от тока, за исключением специальных случаев, и будем использовать обозначение Р как для дифференциальной, так и для интегральной величин.

Учитывая, что а 1, из (4-68) легко сделать вывод, что Р 1 -Например, при типичных значениях а = 0,98 0,99 получается Р = 50 -г- 100. Поскольку разность 1-а очень мала, ясно, что коэффициент Р гораздо сильнее зависит от всех тех факторов, от которых зависит коэффициент а. К числу этих факторов относятся в первую очередь режим, температура и частота. Зависимость коэффициента усиления от частоты подробно рассматривается в следую, щем разделе. Что касается зависимостей от режима и температуры-то они делаются особенно наглядными, если в формулу (4-68) подставить а из (4-21 а).

Тогда в общем случае

Р =-.-. (4-75а)

При условии I - Y Y (ay/L)2 получается:

Ря 24 = = 7- (4-756)

ш2 щ,2

Зависимость р от тока коллектора скрыта в параметрах уят, зависимость от напряжения коллектора- в параметре w, а зависимость от температуры - в параметрахD и т. Все эти зависимости по существу определяются кривыми на рис. 4-19 и 4-20, где использована величина 1/(1 - а) р.

* Для кремниевых траизистеров

Р=/к б.

поскольку током /ко обычно можно пренебречь.



1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 [ 70 ] 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217 218 219 220 221 222 223

© 2000 - 2021 ULTRASONEX-AMFODENT.RU.
Копирование материалов разрешено исключительно при условии цититирования.