Коэффициент диффузии носителей эффективный 77 --примеси 258

- инжекции 117, 189, 196

- нелинейности пилообразного напряжения 588

- нелинейных искажений 412

- неоднородности базы 244

- нестабильности 321

- обратной связи (токораспределения) базовой цепи 318, 332

-----коллекторной цепи 334

- переноса носителей 189

- подавления синфазной составляю-

щей 444, 457

- поля 85, 244

- рекомбинации 48

- стабилизации 621

- трансформации оптимальный 577

- - согласующий 405, 418, 426

- ударной ионизации 132, 272

- усиления тока эквивалентный 335, 343

Критерий насыщения 463 Критическая напряженность поля 40

- температура 33

Крутизна транзистора биполярного 221, 236, 423

--МДП 305, 310

---по подложке 312

--полевого 287, 293

- удельная 303

- усилителя 361. 367, 456

Лавинный пробой 131, 163

Ловущка 22, 45, 52

Лосева участок характеристики 161

Максвелла-Больцмана распределение 25

Масса эффективная 14 Метод пяти ординат 413, 420

- трех ординат 413, 418, 425

- Чохральского 253 Модуляция проводимости 64

--(сопротивления) базы 140, 386

- толщины базы 180

Молла-Эберса формулы 183 Монокристалл 6, 253 Мультивибратор ждущий 562

Накопления время, постоянная времени 481

- скорость 54, 58 Напряжение обратное 87, 98

- отпускания триггера 537

- пороговое МОП транзистора 296. 303

- прямое 87, 98

- смещения нуля 446

т- спрямления зон (плоских зон) 7Q, 302

- срабатывания триггера 537 Напряженность поля критическая 40 Насыщение скорости носителей 41

- тока 42

Насыщения критерий 463

- режим биполярных транзисторов 174, 184, 278

--МДП транзисторов 305

- степень 464

Насыщенного транзистора потенциал 466

Невырожденный полупроводник 23, 29 Нейтральности условие 31 Нелинейная обратная связь 498 Неоднородный полупроводник 33, 71 Неосновные носители И Непрерывности уравнение 62 Неравновесная щирина перехода 98 Неравновесный потенциальный барьер 97

Несимметричный переход 90, 92 Низкочастотные (избьп-очные) шумы 226

Носителей заряда дрейф 27, 36, 60

--рассасывание 51

-- рассеяние 38

Носители заряда горячие 41 --неосновные и основные И

Обеднения режим 70, 294 Обедненный слой 91, 301

Обогащения режим 70, 294 Обогащенный слой 104, 106, 295 Объемное сопротивление базы 194 Объемные сопротивления слоев 467 Обратная связь внутренняя 332, 364

-- нелинейная 498

--параллельная, последовательная, по напряжению, по току 361 Обращенный диод 171 Однородный и неоднородный полупроводники 36 Омический участок характеристики 136

Оптимальное, балластное сопротивление параллельного стабилизатора 625

I- сопротивление источника сигнала 420, 426

Основные и неосновные носители И Отрицагельное сопротивление 133, 161,

166, 274, 278 Отсечка динамическая 490, 519, 528

Перекрытие затвора 313 Переходы несимметричные, симметричные и односторонние 90, 92

- плавные и ступенчатые 89 Плавка зонная 253 Площадь усиления 347 Плотность состояний эффективная 25,

Поверхностные уровни (состояния) 46,

113, 126, 132, 295 Поверхностный потенциал 68, 113, 295,

Повторитель истоковый 315 Подвижность эффективная 77 Поликристаллы 6, 45 Полуметаллы 20, 29, 44, 105, 111, 166 Полупроводник вырожденный 20, 29

- дырочный 10

- компенсированный21

- неоднородный 36, 71

- собственный 8, 30

- электронный 6, 9 Полупроводники типа и и р 9, 10 Пороговое напряжение МДП транзи-

стора 296, 303 Постоянная времени затвора 288

-- канала (крутизны) 314

--коллекторного перехода 220

--коэффициента а 200

---- эквивалентная 398, 478

---Р 217

---- эквивалентная 343, 478

-- накопления 481

-- отсечки 490

--рассасывания 484

- тепловая 122

- кристаллической решетки 6 Потенциал ионизации 33

- насыщенного транзистора 466

- поверхностный 68, ИЗ, 295, 301

- температурный 23

- химический 27

- электростатический 27

- электрохимический 28 Потенциальный барьер 73

-- перехода равновесный 94

--- неравновесный 97

Предельная частота коэффициента усиления тока 218

Престриктор 289 Примеси акцепторные 10

- донорные 9 Примесная зона 20 Примесные уровни 20 Пробой зенеровский 129

- поверхностный 132 Проводимости зона 12 Проводимость собственная 9

Работа выхода 108

Равновесие больцмановское 28, 71, 92 Радиаторы теплоотводящие 237 Распределение Максвелла-Больцмана 25

- Ферми-Дирака 23 Рассасывание носителей в полупроводнике 51 Рассасывания время 155 Рассеяние носителей 38 Регенерация 517 Режим активный 184, 461

Гежим насыщения 174, 184, 278, 461 --полевых транзисторов 286, 305

- обеднения, обогащения 70, 294

- сверхкритический 41 Рекомбинации коэффициент 48 Рекомбинация 19

Тепловое сопротивление 121, 235 Тепловой ток 117, 123 Теплоотводящие радиаторы 237 Термисторы 435, 548 Тормозящее поле в базе 243 Туннельный эффект 69, 112, 129, 167

Самовозбуждение мультивибратора 551

- преобразователя напряжения 620

- стабилизатора напряжения 647 Сверхкритический режим 41 Свободный электрон 14

Связь валентная (ковалентная) 7 Синфазная составляющая сигнала 442 Скорость генерации-рекомбинации 53, 135

- дрейфовая 37

- накопления 54, 58

- поверхностной рекомбинации 46, 48

- частиц тепловая 38 Следящая связь 391, 394, 59

Слой инверсионный 71, ПО, 127, 296

- истощенный (обедненный) 91, 301

- обогащенный 104, 106, 295 Смещение динамическое 495, 512, 520,

Собственная концентрация 30

- проводимость 9 Собственный полупроводник 8, 30 Согласование сопротивлений 404, 411 Сопротивление базы диффузионное 193

- отрицательное 133, 161, 166, 274, 278

- тепловое 121, 235 Сопротивления слоев (объемные) 467 Степень насыщения 464

Сток 284

Ступенчатые переходы 89 .

Текнетрон 288

Температура ионизации 33

- критическая 33

- удвоения тока 124, 126 Температурный дрейф 428, 439, 543

- потенциал 23

Тепловая постоянная времени 122

Ударная ионизация 131 Ударной ионизации коэффициент 132 Узлового напряжения формула 466 Уравнение диффузии 63

- заряда 475

- непрерывности 62

- Пуассона 63

Уровень инжекции 81, 100, 139

- Ферми 23, 35

Уровни поверхностные 46, ИЗ, 126, 132, 295

- примесные 20

- энергии 11

Ускоряющая емкость 519, 523, 524 Условие нейтральности 31

- сильного сигнала 477 Участок Лосева 161

Ферми-Дирака распределение 23 Ферми уровень 23, 27 Фононы 8, 38, 41 Формула Конуэлл-Вайскопфа 39

- узлового напряжения 466

- Эйнштейна 61 Формулы Молла-Эберса 183 Функция ошибок 84

Химический потенциал 27 Холла э. д. с. 254

- датчик 438

Чохральского метод 253 Ш

Ширина запрещенной зоны 13, 18, 26

- перехода неравновесная 98, 103 -- равновесная 96, 103, 107