Главная страница  Транзисторные схемы 

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 [ 108 ] 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217 218 219 220 221 222 223

Коллекторная цепь рассчитывается из соотношения

Ek = \U \ + I,R . (6-15)

где напряжение t/кб заранее известно, а одним из параметров или задаются. Соотношение (6-15) получается из общей формулы (6-5а) при [Уб = О-

Каскад с общим эмиттером. Рассмотрим сначала типичную схему (рис. 6-5), в которой Ев = = ER/iRi + Ri) п R = = Ri II Ri. Поскольку в уравнения (6-4в) и (6-8) [или (6-11)1 входят три неизвестные величины: Eq, Rq и R одной из них нужно задаться. Часто задаются сопротивлением Rq из условия, аналогичного (6-14):

R6 = RilR>R.., (6-16)

но иногда разумнее принять за основу сопротивление R, исходя из желательного значения напряжения = IsR.

В первом случае, выбрав R, находим R с помощью выражения (6-8), полагая ДУ А/к.доп:

(А/к.допб -At/зб)

к. 1тпп

л/ко-

-Re. (6-17а)

(l + P)J

Во втором случае, выбрав R, находим R:

/?б<-Р (А/к.допэ + Ауэб)--j. (6-176)

(1+Р)

если знаменатель (6-176) отрицательный, следует изменить знак . неравенства.

Задаваясь значением Д/к.доп. следует обеспечивать условие

А/к.доп2гД/ко+/э(12.- (6-18)

в противном случае формулы (6-17) недействительны. Иначе говоря, значение Дк.доп. не удовлетворяющую условию (6-18), нельзя реализовать ни при каки.х значениях и Rq.

Зная Rg и Re, нетрудно найти сопротивления делителя Ri и R. Для этого запишем потенциал базы в виде

Ue-Ee + hRe-E.f + IeRe и подставим Ue = -IgR - Ue- Тогда получим:



Сопротивление r2 легко выражается через и Rii

Из общей формулы (6-56) при = О получаем соотношение Ek\Uk,\ + IkRk + IsRs, (6-20)

исходя из которого можно определить э. д. с. или (если э. д. с. Ек задана) внести необходимые коррективы в значения R и R (последнее с точки зрения стабильности желательно изменять только в сторону увеличения).

Если каскад имеет структуру, показанную на рис. 6-6, то сопротивлением и напряжением £к задаваться не следует, так как в противном случае эта схема не будет иметь преимуществ перед предьщущей. Сопротивления Re и R выбираются с учетом условий (6-16) и (6-17). После этого нужно найти сопротивления Ri

и /?2-

Сопротивление Ri определяется из выражения (6-19а), если вместо э. д. с. J?k использовать напряжение == /э?э + IksI (w которого питается делитель в данной схеме):

Сопротивление R рассчитывается по формуле (6-196). Зная сумму Ry -j- R, выбирают /?к из условия

RviRi + Ri- (6-22)

Учитывая, что через сопротивление R протекают и ток коллектора, и ток делителя, напряжение £к определяют по формуле

В заключение заметим, что схемы на рис. 6-5 и 6-6 в действительности должны быть дополнены блокирующими конденсаторами. В противном случае усиление, даваемое каскадами, будет очень мало, так как обратные связи будут подавлять не только температурные приращения А/к, но и приращения, вызванные сигналом. Реальные схемы каскадов будут рассмотрены в следующей главе.

Каскад с общим коллектором. Как уже отмечалось, этот каскад (рис. 6-7) с точки зрения режима отличается от каскада ОЭ только отсутствием резистора R- Поэтому расчет сопротивлений проводится по формулам (6-17) и (6-19). Учитывая, что R = О, значение Rb согласно (6-20) можно выбрать значительно большим, чем в каскаде ОЭ. Это способствует повышению стабильности, а главное, позволяет увеличить сопротивление R и вместе с ним входное сопротивление каскада.



Глава седьмая

УСИЛИТЕЛИ С ЕМКОСТНОЙ СВЯЗЬЮ


7-1. ВВЕДЕНИЕ

В транзисторных усилителях, как и в ламповых, наибольшее распространение имеют каскады с емкостной связью .

Типичный каскад такого типа (рис. 7-1) содержит переходные конденсаторы Ci и Cj и блокирующий конденсатор С д.

Конденсатор призван изолировать генератор (источник) сигнала от входа каскада по постоянному току и соединить их по переменной составляющей сигнала. Конденсатор выполняет аналогичную функцию по отношению к выходу каскада и нагрузке. Конденсатор шунтирует резистор по переменному току и тем самым ослабляет (практически ликвидирует) отрицательную обратную связь в каскаде на частоте сигнала.

Емкости ЭТИХ конденсаторов оказывают влияние на работу каскада в области низших частот и при передаче вершины импульсов. В области высших частот и при передаче фронтов импульсов первостепенное значение имеют временная (или частотная) зависимость коэффициента р и коллекторная емкость Ск. В отличие от ламповых схем паразитные емкости в транзисторных каскадах оказывают обычно второстепенное влияние и могут не учитываться.

Как и в других типах усилителей, при анализе транзисторных каскадов выделяют область средних частот, в которой можно считать схему состоящей только из активных элементов и не учитывать временных и частотных искажений. С этой области мы и начнем изучение каскада.

Однако предварительно сделаем два замечания. Входные сопротивления биполярных транзисторов, как правило, меньше, чем выходные. В связи с этим транзисторные каскады часто работают не как усилители напряжения, а как усилители тока [62]. Поэтому наряду с коэффициентом усиления

j R,

Рис. 7-1. Принципиальная схема каскада ОЭ с емкостной связью.

Ниже термин каскад (не совсем строго) используется применительно к одно каскадным усилителям - главным объектам анализа в данной части книги. Собственно каскады, т. е. элементарные промежуточные ячейки многокаскадного усилителя (см. рис. 7-16), являются частным случаем однокаскадных усилителей, когда источником сигнала служит выход предыдущего каскада, а нагрузкой - вход следующего каскада (см. § 7-4).

Что касается тезиса о распространенности емкостной связи, то он справедлив лишь для дискретных электронных схем, монтируемых из отдельных компонентов. В области интегральных микроэлектронных схем типичны гальванические, непосредственные связи между каскадами (см. гл. 13 и 14).



1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 [ 108 ] 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217 218 219 220 221 222 223

© 2000 - 2021 ULTRASONEX-AMFODENT.RU.
Копирование материалов разрешено исключительно при условии цититирования.