Главная страница  Транзисторные схемы 

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 [ 181 ] 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217 218 219 220 221 222 223

напряжение по упрощенной схеме, можно затем получить искомое приращение AC/gi из соотнощения

А(Уб1 = Д(Уз+е1. (17-23)

Схема на рис. 17-6, в получена из предыдущей при условии О (практически при Ri Ri, что обычно имеет место). Такая схема достаточно проста для анализа и в то же время сохраняет все основные особенности исходных схем.

Критические точки и / входной характеристики являются границами участка на которых дифференциальное сопротив-

1<1


Б1 ЧУ-

ulgi

uigi+uii

AU \ R, Ri /?,

R, Ri

Рис. 17-6. Эквивалентные схемы триггера иа участке / входной характеристики

(рис. 17-3).

а - полная схема; б к в - упрощенные схемы.

ление равно нулю. Следовательно, согласно (17-14) в этих точках должно соблюдаться условие

PaYil (17-24)

(если Pi Рг)-

Для соблюдения этого условия величина рг должна быть достаточно малой, т. е. транзистор Тг должен быть либо достаточно сильно заперт (точка /), либо достаточно сильно насыщен (точка ), потому что в нормальном активном режиме (участок /) выполняется неравенство (17-156). Таким образом, выполнение условия (17-24) предполагает зависимость коэффициента рг от режима, в первую очередь от тока /д. Поскольку Рг зависит еще и от температуры, полное приращение Арг можно записать в виде

ДРг = АТ + ,Д/з. = .

(17-25)

где ДРт- - температурное приращение, а = dldhi - чувствительность коэффициента ра к изменениям эмиттерного тока. Зна-



чение специально измеряется вблизи границ отсечки и насыщения. Например, для некоторых тра.чзисторов при токах 1-10 мкА были найдены значения Bg = 2 -ь 0,1 мкА~*.

Из условия (17-24) следуег, что вблизи критических точек полное приращение ДРг = О, откуда получается важное соотнощение:

А/. = - (17-26)

Это соотнощение означает, что вблизи критических точек температурному приращению коэффициента рз должно соответствовать определенное приращение эмиттерного тока. Такое



Рис. 17-7. Температурный дрейф тока и напрянсения в точках срабатывания (а) и отпускания (б) в случае германиевых транзисторов.

приращение частично обеспечивается благодаря изменению внутренних факторов в, р и /,£0. зависящих от температуры. Однако в общем случае требуется менять еще и внешнюю величину - входной ток /gj. Тогда меняются обе координаты критической точки. Если же внутренние факторы сами по себе обеспечивают приращение А/эа, требуемое соотношением (17-26), то входной ток не нужно менять: A/gi = 0. В этом случае в критической точке имеет место только дрейф напряжения.

С помощью эквивалентной схемы на рис. 17-6, в можно получить общие выражения для дрейфа критических напряжений и критических токов (см. предьщущие издания данной книги):

Аб1 = -(/?! 12)

Yss 2

АУб1 =

At/,

-еЛ-еъ (17-27)

где AUg= AUx - ei.



Полученные выражения вместе с экспериментальными зави-симостчми, показанными на рис. 17-7 и 17-8, позволяют сделать следующие качественные выводы.

1, Приращение эмиттерного потенциала всегда отрицательно, т. е. напряженке Ug увеличивается (по модулю) с ростом температуры. Зависимость AU (Т) нелинейна; нелинейность обусловлена в первую очередь функцией 3 (Т), поскольку функции е (Т) почти линейны, а токи / о при пониженных температурах несущественны.

2. Величина и знак приращений AUi зависят от соотношения между модулями напряжений AU и ei, поскольку знаки последних различны. Нелинейность функции AU (Т) делает возможными экстремумы на кривых Af/gi (Т).

1л, мнА

1 1

-20-

7N. 40


ии/ом

Рис. 17-8. Температурный дрейф тока и напряжения в точках срабатывания (а) и отпускания (б) в случае кремниевых транзисторов.

Для германиевых транзисторов таких экстремумов может быть два; один из них (максимум) обусловлен увеличением теплового тока при повышенной температуре.

3. Приращение A/gi в общем случае также представляется экстремальной кривой, имеющей максимум, хотя этот максимум не всегда ярко выражен и может быть расположен вне рабочего диапазона температуры.

Резкое уменьшение тока /gj при повышенной температуре для германиевыя транзисторов обусловлено, конечно, ростом тепловых токов и приводит к потере работоспособности схем, когда ток базы падает до нуля и напряжения Цц и Цщ

сближаются.

4. Кремниевые транзисторы не имеют существенных преимуществ перед германиевыми в отношении величины температурного дрейфа, поскольку главной причиной дрейфа являются не тепловые токи, а нестабильность коэффициентов передачи тока и напряжений на переходах.



1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 [ 181 ] 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217 218 219 220 221 222 223

© 2000 - 2024 ULTRASONEX-AMFODENT.RU.
Копирование материалов разрешено исключительно при условии цититирования.