напряжение по упрощенной схеме, можно затем получить искомое приращение AC/gi из соотнощения

А(Уб1 = Д(Уз+е1. (17-23)

Схема на рис. 17-6, в получена из предыдущей при условии О (практически при Ri Ri, что обычно имеет место). Такая схема достаточно проста для анализа и в то же время сохраняет все основные особенности исходных схем.

Критические точки и / входной характеристики являются границами участка на которых дифференциальное сопротив-

1<1

Б1 ЧУ-

ulgi

uigi+uii

AU \ R, Ri /?,

R, Ri

Рис. 17-6. Эквивалентные схемы триггера иа участке / входной характеристики

(рис. 17-3).

а - полная схема; б к в - упрощенные схемы.

ление равно нулю. Следовательно, согласно (17-14) в этих точках должно соблюдаться условие

PaYil (17-24)

(если Pi Рг)-

Для соблюдения этого условия величина рг должна быть достаточно малой, т. е. транзистор Тг должен быть либо достаточно сильно заперт (точка /), либо достаточно сильно насыщен (точка ), потому что в нормальном активном режиме (участок /) выполняется неравенство (17-156). Таким образом, выполнение условия (17-24) предполагает зависимость коэффициента рг от режима, в первую очередь от тока /д. Поскольку Рг зависит еще и от температуры, полное приращение Арг можно записать в виде

ДРг = АТ + ,Д/з. = .

(17-25)

где ДРт- - температурное приращение, а = dldhi - чувствительность коэффициента ра к изменениям эмиттерного тока. Зна-

чение специально измеряется вблизи границ отсечки и насыщения. Например, для некоторых тра.чзисторов при токах 1-10 мкА были найдены значения Bg = 2 -ь 0,1 мкА~*.

Из условия (17-24) следуег, что вблизи критических точек полное приращение ДРг = О, откуда получается важное соотнощение:

А/. = - (17-26)

Это соотнощение означает, что вблизи критических точек температурному приращению коэффициента рз должно соответствовать определенное приращение эмиттерного тока. Такое

Рис. 17-7. Температурный дрейф тока и напрянсения в точках срабатывания (а) и отпускания (б) в случае германиевых транзисторов.

приращение частично обеспечивается благодаря изменению внутренних факторов в, р и /,£0. зависящих от температуры. Однако в общем случае требуется менять еще и внешнюю величину - входной ток /gj. Тогда меняются обе координаты критической точки. Если же внутренние факторы сами по себе обеспечивают приращение А/эа, требуемое соотношением (17-26), то входной ток не нужно менять: A/gi = 0. В этом случае в критической точке имеет место только дрейф напряжения.

С помощью эквивалентной схемы на рис. 17-6, в можно получить общие выражения для дрейфа критических напряжений и критических токов (см. предьщущие издания данной книги):

Аб1 = -(/?! 12)

Yss 2

АУб1 =

At/,

-еЛ-еъ (17-27)

где AUg= AUx - ei.

Полученные выражения вместе с экспериментальными зави-симостчми, показанными на рис. 17-7 и 17-8, позволяют сделать следующие качественные выводы.

1, Приращение эмиттерного потенциала всегда отрицательно, т. е. напряженке Ug увеличивается (по модулю) с ростом температуры. Зависимость AU (Т) нелинейна; нелинейность обусловлена в первую очередь функцией 3 (Т), поскольку функции е (Т) почти линейны, а токи / о при пониженных температурах несущественны.

2. Величина и знак приращений AUi зависят от соотношения между модулями напряжений AU и ei, поскольку знаки последних различны. Нелинейность функции AU (Т) делает возможными экстремумы на кривых Af/gi (Т).

ии/ом

Рис. 17-8. Температурный дрейф тока и напряжения в точках срабатывания (а) и отпускания (б) в случае кремниевых транзисторов.

Для германиевых транзисторов таких экстремумов может быть два; один из них (максимум) обусловлен увеличением теплового тока при повышенной температуре.

3. Приращение A/gi в общем случае также представляется экстремальной кривой, имеющей максимум, хотя этот максимум не всегда ярко выражен и может быть расположен вне рабочего диапазона температуры.

Резкое уменьшение тока /gj при повышенной температуре для германиевыя транзисторов обусловлено, конечно, ростом тепловых токов и приводит к потере работоспособности схем, когда ток базы падает до нуля и напряжения Цц и Цщ

сближаются.

4. Кремниевые транзисторы не имеют существенных преимуществ перед германиевыми в отношении величины температурного дрейфа, поскольку главной причиной дрейфа являются не тепловые токи, а нестабильность коэффициентов передачи тока и напряжений на переходах.