Главная страница  Транзисторные схемы 

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 [ 27 ] 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217 218 219 220 221 222 223

Следовательно, при экспоненциальном распределении носителей их диффузионная скорость является постоянной величиной. Исходя из выражения (1-115), можно дать еще одно определение величины L: диффузионная длина есть то среднее расстояние, которое носители в процессе диффузии проходят за время зюизни.

Если подставить dpIdx из (1-П4а) в (1-73а), получим выражение для диффузионной составляющей дырочного тока. Запишем ее в следующем виде:

(/р)я.,Ф W = (/р)д Ф (0) e~ P, (1-П6а)

где граничное значение в точке л; = О

(/р)диФ (0)=- qDp (1-Ибб)

Заметим, что это граничное значение совпадает с полным током:

(/р)диф(0) = /. (1-U7)

поскольку при х = о электронный ток отсутствует (см. начало данного раздела, п. 3), а дрейфовой составляющей дырочного тока мы пренебрегли с самого начала, приняв диффузионЕое приближение .

Подставляя dp/dx из (1-П4а) в (1-108) и учитывая выражения (1-113), (1-1166) и (1-117), получаем напряженность того поля, которым пренебрегли при решении уравнения непрерывности. Если использовать обозначение (1-31), то

E{x) = [l + {b-l)e- p]. (1-118)

Граничные значения поля:

£(0) = 6( а); E(aD) = j/a.

Напряженность дембеоовской составляющей поля определяется вторым слагаемым в формуле (1-118):

£дс б = -(&-1)е~, (1-119)

граничные значения этой составляющей имеют вид:

£демб(0) = (6-1)( о); £де бМ = 0.

Распределение потенциала при монополярной диффузии несколько отличается от распределения при биполярной диффузии из-за различия полей. В частности, на расстоянии (2 3) L от плоскости инжекции, т. е. в области квазиравновесия, потенциал меняется почти линейно (ср. с рис. 1-17, б). Квазиуровни Ферми, определяемые избыточными концентрациями, меняются практически так же, как при биполярной диффузии.

Нестационарное уравнение (1-110а) может быть решено разными способами. В инженерной практике наиболее распространен операторный метод (см. [22]). Как известно, при этом методе функция времени, в нашем случае Ар (х, t), заменяется ее операторным изображением Ар (х, s), а производная по времени - произведением

s[Ap(x, S)-Ар(д;)/.о]. (1-120)

Здесь и ниже оператор Лапласа обозначается через s, а не через р (как обычно) во избежание путаницы с обозначением концентрации дырок.



уравнение

После этого при решении диффузионного уравнения оператор у)ассматривается как алгебраический множитель, а найденное решение типа (1-П2) оказывается изобраоюепием искомой функции Др (х, t). Эта функция {оригинал изображения) в большинстве случаев может быть найдена по таблицам соответствия. Полагая начальное состояние равновесным, т. е.

= О, нетрудно привести (1-ПОа) к виду

0-12.)

Как видим, отличие этой формулы от (1-ПОб) состоит только в том, что диффузионная длина должна рассматриваться как операторная величина

L(s) = -7L=. (1-122)

1-е-

Оригинал изображения L (s) имеет вид (рис. 1-33):

) = Lerf(l),

L{t)-

(1-123)

c.i 1,г 1,6 2,0

Рис. 1-33. Зависимость диффу-зкониой длины от времени [функция ошибок erf (ih)].

где erf (t/x) - функция ошибок *. Необходимо заметить, что определение диффузионной длины (см. выше) связано с экспоненциальным распределением носителей, тогда как во время переходного процесса (особенно в его начальной части) распределение неэкспоненциальное. Поэтому выражение L (t) нельзя механически подставлять вместо X в готовые формулы (1-112) и (1-113). Тем ие менее, рассматривая диффузионную длину как функцию времени, можно делать полезные качественные выводы о характере переходных процессов.

Учитывая структурное сходство уравнений (1-121) и (1-1106), приходим к выводу, что решения (1-112) и (1-113) остаются в силе, если заменить Lp на Lp (s). Граничные условия для определения коэффициентов Ai и используются так же, как в стационарном случае. В результате получается изображение Др (х, s), по которому с помощью таблиц можно найти оригинал Ар (х, i). Такой оригинал будет рассмотрен в § 2-9 в связи с переходным процессом в диоде.

Функция ошибок erf (г) (ее же называют интегралом ошибок или функцией Крампа) определяется следующим образом [23]:

erf(.) = 5

Согласно рис. 1-33 функция erf (г) в общем напоминает экспоненциальную функцию 1-е-; в частности, erf (0) = О и erf (оо) = 1. Прои.ч-водиая от erf (г) имеет вид (2/[Ал) е . Дотлнительной фткцией ошибок называют функцию cerf (z) = 1 - erf (г), которая напоминает экспоненту е. Производная функции cerf (г) отличается от производной функции erf (г) только знаком.



Весь материал данного раздела непосредственно относился к случаю инжекции, когда Ар > 0. Однако с математической точки зрения анализ остается в силе и для случая экстракции, когда Ар < 0. Нужно лишь иметь в виду следующие физические особенности, свойственные режиму экстракции.

1, Концентрации носителей в приповерхностном слое оказываются меньше равновесных; соответственно меняются знак объемного заряда, направление полей, а также направления потоков носителей.

2. Поскольку полная концентрация дырок р не может быть отрицательной, то модуль отрицательной избыточной концентрации всегда меньше равновесной концентрации: I Ар I < р. Отсюда следует, что в режиме экстракции возмущения всегда малы; соответственно малы плотности токов (токи).

Комбинированное движение. В последних двух разделах дрейф п диффузия носителей рассматривались раздельно: в первом случае считалось, что нет инжекции, во втором - поле считалось пренебрежимо малым.

Проанализируем диффузию в условиях существенного электрического поля; для простоты положим напряженность поля постоянной . Такой случай имеет, например, место при инжекции в неоднородный полупроводник с экспоненциальным распре;]еле-нием примеси (1-93). Будем, как и раньше, рассматривать инжек-цию дыро!{ в электронный полупроводник. Тогда в уравнении (1-102) следует положить D = Dp, =.-р-р, а также Ag = 0. Ограничиваясь стационарным режимом (dp/at == 0), поделим обе части уравнения на Dp и запишем его в следующей форме:

dAp ЦрЕ dAp Др

dx Dp dx Lp

Величина р,р E/Dp имеет размерность 1/см, поэтому ее можно представить как 2i]/Lp, где безразмерный коэффициент т) с учетом (1-115) характеризует соотношение дрейфовой и диффузионной скоростей, а с учетом (1-74) - относительную роль напряженности поля 2;

Обычно величину г) называют коэффициентом тля. С использованием коэффициента поля уравнение непрерывности запишется в виле

</Ар 2т]£гДр Ард (1-125)

Л2 La dx Ll

В противном случае, как уже отмечалось, задача делается нелинейной.

Величина (fJL, будучи умножена на подвижность [л, дает диффузионную скорость (1-115). Поэтому ф./Х- можно назвать диффузионной напряженностью поля. -



1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 [ 27 ] 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217 218 219 220 221 222 223

© 2000 - 2024 ULTRASONEX-AMFODENT.RU.
Копирование материалов разрешено исключительно при условии цититирования.