Главная страница  Транзисторные схемы 

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 [ 175 ] 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217 218 219 220 221 222 223


Рис, 16-12, Переходные процессы в пересчетной ячейке.



потенциал U. Отрицательные приращения AC/ki передаются через конденсатор на базу транзистора T. Соответственно потенциал {/б2 тоже понижается и при достижении равенства f/ga = -Евх открывается диод Дг- Этим заканчивается второй этап. Если Ец. > > (/бо. то диод Да открывается в самом начале переходного процесса и тогда данный этап отсутствует.

Третий этап можно назвать этапом запирания (интервал з). Этап запирания формально соответствует стадии регенерации в триггере с раздельными входами. Это соответствие состоит в том, что в обоих случаях ток /i падает от начального значения к1 (4) ДО значения 1 (tg) - /51 (4). после чего наступает этап динамической отсечки в транзисторе Т. Однако по существу процессы в том и другом случае принципиально различны. Действительно, в режиме раздельных входов приращение Д/ki, начиная с момента 4, шло в базу транзистора и вызывало нарастание тока /к2, который, накладываясь на ток /gi, приводил к увеличению последнего, тогда как в режиме общего входа приращение А/к1 идет через диод Да, частично ответвляясь в цепь базы, и протекает навстречу исходному току, т. е. приводит к у м е н fa-rn е н и ю тока /б1. Таким образом, на этапе запирания в триггере с общим входом имеет место не положительная, а отрицательная обратная связь.

Этап динамической отсечки, начинающийся в момент ts, характеризуется быстрым спадом токов /gi и /i до нуля (на рис. 16-12 длительность этого этапа принята равной нулю). Спад тока /gi сопровождается ростом потенциалов f/gi и {/52 ДО уровня Ех

Скачок потенциалов hU(, = Е вх - -вх передается на коллекторы обоих транзисторов. Этап динамической отсечки, учитывая его малую длительность, обычно относят к этапу запирания, гюдобно тому, как в режиме раздельных входов его относят к стадии регенерации.

Выброс тока /д2 в режиме общего входа явл.чется аналогом выброса тока /б2 в режиме раздельных входов. Оба выброса имеют одинаковое происхождение и примерно одинаковую величину, близкую к /ki (t. Однако импульс /52 в режиме раздельных входов непосредственно обеспечивает отпирание транзистора Tj по окончании регенерации, тогда как в режиме общего входа импульс /д2 как бы находится в горячем резерве вплоть до окончания входного сигнала; только после этого он поступает в базу транзистора и обеспечивает отпирание последнего.

Четвертый этап - этап выдержки - свойствен только режиму общего входа. На этом этапе, который продолжается до окончания входного импульса, оба транзистора заперты, потенциалы баз зафиксированы на уровне Ех, а коллекторные потенциалы меняются лишь постольку, поскольку конденсаторы и заряжаются токами и /д1. Ток /да обычно много больше, чем /д1, поэтому потенциал U меняется более заметно, чем f/кг-

В момент 4, когда кончается входной импульс, аноды диодов Д1 и Да снова оказываются под отрицательным потенциалом Ei,



а базы транзисторов - под нулевым потенциалом . В результате запирания диодов схема в первый момент (до появления коллекторных токов) представляет собой две независимые ветви, каждая из которых содержит эмиттерный переход соответствующего транзистора. Если пренебречь токами /д, то базовые токи в момент 4 определяются соотношениями

/б1(4)[к-сг(4)]к; (16-38а)

/ба (4) [£к - t/cl (4)]к. (16-386)

Как видим, различие токов обусловлено различием напряжений Uc (4)- Напомним, что в исходном состоянии триггера напряжения Uc2 и Uci резко различны: первое близко к Е, а второе - к f/go- Если во время предшествующего интервала ьш эти значения изменились не сильно, то согласно (16-38) будет иметь место неравенство /бг (4) /б1 (4)- Значит, транзистор будет отпираться гораздо быстрее, а его нарастающий ток Is, поступая через емкость Сг в базу транзистора Т, быстро компенсирует ток /gi и не дает транзистору Tl открыться. Если конденсатор Cg за время 4ыд зарядился до напряжения Е или выше , то начальный ток /gi {t будет равен нулю и нет надобности его компенсировать.

Если же за время ьщ конденсатор Ci тоже успеет зарядиться до напряжения Е или выше, то в момент 4 оба транзистора окажутся запертыми, а последующее отпирание одного из них будет в значительной мере зависеть от симжтрии схемы, т. е. становится случайным. Такие длинные входные импульсы, при которых имеет место указанная ненадежность, разумеется, недопустимы.

В момент 4. когда потенциалы баз уменьшаются от значения £вх до нуля, на коллекторах транзисторов получаются скачки потенциалов той же величины Евх.

Стадия восстановления, начинающаяся в момент 4 состоит из этапов формирования положительного и отрицательного фронтов, а также из этапа динамического смещения на базе закрывшегося транзистора. Эта стадия не имеет большой специфики по сравнению со случаем триггера с раздельными входами.

Из приведенного рассмотрения можно сделать два главных вывода:

1. Положительный фронт выходного напряжения ( на рис. 16-12 это фронт потенциала U задержан на величину i, и ему

* Потенциал базы не может стать существенно отрицательным, так как появляющийся при этом базовый ток протекает через соответствующий диод в обратном направлении и быстро его запирает.

2 Максимальное напряжение, до которого могут зарядиться конденсаторы в интервале <выд составляет:

(£;кН-£к)щ;-ехН-..

Постоянная времени заряда



1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 [ 175 ] 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217 218 219 220 221 222 223

© 2000 - 2021 ULTRASONEX-AMFODENT.RU.
Копирование материалов разрешено исключительно при условии цититирования.