Рис, 16-12, Переходные процессы в пересчетной ячейке.

потенциал U. Отрицательные приращения AC/ki передаются через конденсатор на базу транзистора T. Соответственно потенциал {/б2 тоже понижается и при достижении равенства f/ga = -Евх открывается диод Дг- Этим заканчивается второй этап. Если Ец. > > (/бо. то диод Да открывается в самом начале переходного процесса и тогда данный этап отсутствует.

Третий этап можно назвать этапом запирания (интервал з). Этап запирания формально соответствует стадии регенерации в триггере с раздельными входами. Это соответствие состоит в том, что в обоих случаях ток /i падает от начального значения к1 (4) ДО значения 1 (tg) - /51 (4). после чего наступает этап динамической отсечки в транзисторе Т. Однако по существу процессы в том и другом случае принципиально различны. Действительно, в режиме раздельных входов приращение Д/ki, начиная с момента 4, шло в базу транзистора и вызывало нарастание тока /к2, который, накладываясь на ток /gi, приводил к увеличению последнего, тогда как в режиме общего входа приращение А/к1 идет через диод Да, частично ответвляясь в цепь базы, и протекает навстречу исходному току, т. е. приводит к у м е н fa-rn е н и ю тока /б1. Таким образом, на этапе запирания в триггере с общим входом имеет место не положительная, а отрицательная обратная связь.

Этап динамической отсечки, начинающийся в момент ts, характеризуется быстрым спадом токов /gi и /i до нуля (на рис. 16-12 длительность этого этапа принята равной нулю). Спад тока /gi сопровождается ростом потенциалов f/gi и {/52 ДО уровня Ех

Скачок потенциалов hU(, = Е вх - -вх передается на коллекторы обоих транзисторов. Этап динамической отсечки, учитывая его малую длительность, обычно относят к этапу запирания, гюдобно тому, как в режиме раздельных входов его относят к стадии регенерации.

Выброс тока /д2 в режиме общего входа явл.чется аналогом выброса тока /б2 в режиме раздельных входов. Оба выброса имеют одинаковое происхождение и примерно одинаковую величину, близкую к /ki (t. Однако импульс /52 в режиме раздельных входов непосредственно обеспечивает отпирание транзистора Tj по окончании регенерации, тогда как в режиме общего входа импульс /д2 как бы находится в горячем резерве вплоть до окончания входного сигнала; только после этого он поступает в базу транзистора и обеспечивает отпирание последнего.

Четвертый этап - этап выдержки - свойствен только режиму общего входа. На этом этапе, который продолжается до окончания входного импульса, оба транзистора заперты, потенциалы баз зафиксированы на уровне Ех, а коллекторные потенциалы меняются лишь постольку, поскольку конденсаторы и заряжаются токами и /д1. Ток /да обычно много больше, чем /д1, поэтому потенциал U меняется более заметно, чем f/кг-

В момент 4, когда кончается входной импульс, аноды диодов Д1 и Да снова оказываются под отрицательным потенциалом Ei,

а базы транзисторов - под нулевым потенциалом . В результате запирания диодов схема в первый момент (до появления коллекторных токов) представляет собой две независимые ветви, каждая из которых содержит эмиттерный переход соответствующего транзистора. Если пренебречь токами /д, то базовые токи в момент 4 определяются соотношениями

/б1(4)[к-сг(4)]к; (16-38а)

/ба (4) [£к - t/cl (4)]к. (16-386)

Как видим, различие токов обусловлено различием напряжений Uc (4)- Напомним, что в исходном состоянии триггера напряжения Uc2 и Uci резко различны: первое близко к Е, а второе - к f/go- Если во время предшествующего интервала ьш эти значения изменились не сильно, то согласно (16-38) будет иметь место неравенство /бг (4) /б1 (4)- Значит, транзистор будет отпираться гораздо быстрее, а его нарастающий ток Is, поступая через емкость Сг в базу транзистора Т, быстро компенсирует ток /gi и не дает транзистору Tl открыться. Если конденсатор Cg за время 4ыд зарядился до напряжения Е или выше , то начальный ток /gi {t будет равен нулю и нет надобности его компенсировать.

Если же за время ьщ конденсатор Ci тоже успеет зарядиться до напряжения Е или выше, то в момент 4 оба транзистора окажутся запертыми, а последующее отпирание одного из них будет в значительной мере зависеть от симжтрии схемы, т. е. становится случайным. Такие длинные входные импульсы, при которых имеет место указанная ненадежность, разумеется, недопустимы.

В момент 4. когда потенциалы баз уменьшаются от значения £вх до нуля, на коллекторах транзисторов получаются скачки потенциалов той же величины Евх.

Стадия восстановления, начинающаяся в момент 4 состоит из этапов формирования положительного и отрицательного фронтов, а также из этапа динамического смещения на базе закрывшегося транзистора. Эта стадия не имеет большой специфики по сравнению со случаем триггера с раздельными входами.

Из приведенного рассмотрения можно сделать два главных вывода:

1. Положительный фронт выходного напряжения ( на рис. 16-12 это фронт потенциала U задержан на величину i, и ему

* Потенциал базы не может стать существенно отрицательным, так как появляющийся при этом базовый ток протекает через соответствующий диод в обратном направлении и быстро его запирает.

2 Максимальное напряжение, до которого могут зарядиться конденсаторы в интервале <выд составляет:

(£;кН-£к)щ;-ехН-..

Постоянная времени заряда