предшествует положительны?! импульс, обусловленный непосредственным прохождением входного сигнала на выход через ускоряющую емкость. При большой величине сигнала указанный импульс может оказаться сравнимым с что, конечно, весьма нежелательно. Значит, величину входного сигнала Е не следует делать излишне большой.

2. За время входного сигнала напряжение на конденсаторе, который в исходном состоянии связан с коллектором открытого транзистора, не должно существенно возрастать. В противном случае уменьшается отпирающий ток базы на этапе положительного фронта, а в пределе (если напряжение на конденсаторе возрастает до и выше) триггер утрачивает работоспособность. Значит, длительность входного сигнала тоже не следует делать излишне большой . По возможности она должна быть близка к сумме + + 4-

Анализ фронтов. Входной сигнал воздействует на схему только тогда, когда он превьпнает смещение £1. Поэтому действующим сигналом является

£вх - Ец - £i.

Импульс тока, под действием которого запирается транзистор Т*!, запишется следующим образом :

/вх = А/б1;- (16-39)

Этот импульс при малом значении R. может достигать 10 мА и больше, даже если э. д. с. Е не превышает 1 В. Напряжение £ вх, которое показано на рис. 16-12, вообще говоря, меньше действующего сигнала и составляет:

где под Гб понимается сопротивление участка база - эмиттер

* В работе [147] показано, что максимально допустимая длительность вход-ного импульса может быть оценена по формуле

вх.макс - П д/ , б

где Д/б - разность статических базовых токов транзисторов Ti и Т, характеризующая асимметрию схему. Например, если CR = 0,5 мкс; /к.н = 5 мА; Л/б =50 мкА, то вх.мпкс 2,5 мкс.

Если учесть сопротивление диода, то в знаменателе добавится величина Rд, под которой следует понимать импульсное сопротивление постоянному

току (1/д д)/=0-

* В случае больших начальных токов базы такая аппроксимация не только удобна, но и практически оправдана [см. (15-15)]. В случае малых начальных токов вместо следует записать Лбэ или Rx, этот параметр, существенно зависящий от входного тока, неудобен для количественных расчетов.

Зная импульс h легко рассчитать время рассасывания по формуле (16-18):

Вр~. (16-40)

Время предварительного формирования отрицательного фронта легко найти, считая* уменьшение тока hi линейным. Поскольку в интервале потенциал U уменьшается от значения Uo До Евх (а не до нуля, как в режиме раздельных входов), достаточно в формуле (16-19) заменить C/goHaf/eo -вх. Тогда

е(/бо-£вх)/£. (16-41)

Интервал t пренебрежимо мал.

Время запирания определяется из следующих соображений. Приращения Д/х на данном этапе, пройдя диод Д, частично ответвляются в цепь базы. Обозначим ответвляющуюся часть приращения через VeAKi. где

- коэффициент токораспределеиия между резисторами и R. Полагая hi (0) i можно записать для этапа запирания операторные соотношения:

/б1(5)==/вх-ТбА/к1(5); A/ki(s)=-[/bx-Y6A/ki(s)].

Из этих соотношений нетрудно получить оригиналы:

б1(е) = /вхе-Ч (16-42а)

А/ 1(е) = /вх(1-е-бе). (16-426)

Здесь, как и раньше, 0 = f/T .

Примем для простоты hi (з) = к.н- Тогда, используя условие h.1, - A4i (0з) = hi (Оз) (см. рис. 16-12), можно выразить время запирания простой формулой:

Вз=-1п g . (16-43)

V6 1-V6/bx

Из формулы (16-43) следует, что конечное время запирания получается только при одновременном выполнении двух условий: hx < 1 и < hx- При нарушении первого условия оказывается 63= О, т. е. этап запирачия отсутствует и изменения всех токов происходят полностью на этапе динамической отсечки за время 0,5 т . При нарушении второго условия оказывается 6,= оо; физически это означает, что из-за сильной протиюсвязи результирующий ток настолько мал, что становится недействительным принятое при выводе условие сильного сигнала. Значит, классический этап запирания реализуется лишь в случае R < 61 т. е. в случае почти идеального источника э. д. с.

Время положительного фронта, как и при раздельных входах, определяется на основании формулы (16-27). В качестве начального тока /gm в данном случае нужно использовать ток (4). Сравнивая (16-386) с (16-25), замечаем, что отличие состоит в замене напряжения f/go на напряжение (4)- Последнее может отличаться от f/go в случае достаточно длинного входного импульса (см. с. 529).

Второе отличие состоит в величине приращения (6, которое для

схемы с раздельными входами принципиально меньше /к. н. а для схемы с общим входом равно /к.н- В формуле (16-29) это соответствует значению 6=1.

Оценим сначала приращение AUi (выд)- Полагая для простоты ток /д2 постоянным и равным /к. , получаем:

Ш/к. н , г-, бвыд

Тогда

(4) = С/с1 (0)-f = t/бо-f £н -.

Подставляя это значение в (16-29) вместо Uo и полагая 6=1, получаем относительное время положительного фронта:

Отсюда видно, что длительность фронта увеличивается с ростом 4ыд и что время tф в схеме с общим входом больше, чем в схеме с раздельными входами. При равных значениях т и С/бо/£к-

Время отрицательного фронта определяется из тех же предпосылок, что и в случае раздельных входов [см. (16-30)]. Однако при раздельных входах начало этого фронта соответствует величине [/.д (4) ~ teo. а при общем входе - величине С/к1 ih -f 0) Uci {Q. Следовательно, в формуле (16-30) нужно тоже заменить напряжение C/go напряжением С/д (4), значение которого приведено выше. Тогда

еф = т1п

I Обо е ,д

10 1- -

(16-45)

Отсюда приходим к выводу, что время в схеме с общим входом меньше, чем в схеме с раздельными входами.

Время спада динамического смещения д.с можно определить по формулам (16-31).

Максимальная рабочая частота. Опенку максимальной частоты проведем, как и в § 16-4, из условия равенства значений % л Оф. Приравнивая (16-44) и (16-45), получаем следующее оптималь-