78. Самохвалов М. М. Германиевые сплавные диффузионные триоды. М., Госэнергоиздат, 1962. 144 с.

79. Коновалов О.-М. Полупроводниковые материалы. Изд. Харьковского госуниверситета, 1963. 212 с.

80. Гаврилов Р. А., Скворцов А. М. Технология производства полупроводниковых приборов. Л., Энергия , 1968. 240 с.

81. Основы технологии кремниевых интегральных схем. Под ред. Р. Бур-гера и Р. Донована. Пер. с англ. под ред. В. Н. Мордюковича и Ф. П. Пресса. М., Мир , 1969. 451 с.

82. Буш Г., Винклер У. Определение характеристических параметров полупроводников. М., Изд-во иностр. лит., 1959. 132 с.

83. Пресс Ф. П. Фотолитография в производстве полупроводниковых приборов. М., Энергия , 1968. 200 с.

84. Bardeen J., Brattain W. The transistor a semiconductor triode\ - Phys. Rev. , 1948, vol. 74, № 2, p. 230-232,

85. Основы полупроводниковой электроники. М., Советское радио , 1958. 579 с. Авт.: Лоу, Эндрес, Зевелс и др.

86. Shenkel Н., Statz Н. Junction transistors with alpha grater than unity.- Ргос. IRE , 1956,. № 3, p. 360-371.

87. Дьяконов В. П. Лавинные транзисторы и их применение в импульсных устройствах. М., Советское радио , 1973. 208 с.

88. Управлиемые полупроводниковые вентили. М., Мир , 1967. 455 с, с ил. Авт.: Д. Джентри, Ф. Гутцвиллер, Н. Голоньяк, Э. Фон Застров.

89. Гаряинов С. А., Абезгауз И., Д. Полупроводниковые приборй с отрицательным сопротивлением. М., Энергия , 1966. 240 с.

90. Кузьмин В. А., Сенаторов К. Я- Четырехслойные полупроводниковые приборы. М., Энергия , 1967. 184 с.

91. Полупроводниковые приборы с отрицательным сопротивлением. Под ред. С. А. Гаряинова. М., Госэнергоиздат, 1962. 240 с.

92. Березин А. С, Мочалкина О. Р. Планарный тиристор с продольной структурой. - Изв. вузов. Радиоэлектроника , 1969, № 3, с. 267-272.

93. Кузьмин В. Ам Мочалкина О. Р. О зависимости коэффициентов усиления от тока в приборах типа р-п-р-п. - Изв. вузов. Радиотехника , 1965, № 2, с. 165-170.

94. Шокли В. Униполярный полевой транзистор. - В кн.: Полупроводниковая электроника. М., Изд-во иностр. лит., 1955, с. 151-174.

95. Hofstein S., Heiman F. The silicon insulated-gate field-effect transistor. Ргос. ШЕЕ , 1963, № 9, p. 1190-1202.

96. Малин Б. В., Сонин IW. С. Параметры и свойства полевых транзисторов. М., Энергия , 1967. 112 с.

97. Севин Л. Полевые транзисторы. М., Советское радио , 1968. 184 с.

с ил.

98. Martin А. Introduction а 1а theorie du tecnetron. - Journ. de Phys. et le rad. , 1960, № 3, p.24A-36A; № 7, p. 113A-121A.

99. Martin A. Field effect devices. - W.ireless World , 1961, № 5, p. 238-

241.

100. Кобболд P. Теория и применеш1е полевых транзисторов. Пер с англ. М., Энергия , 1975: 304 с.

101. Кроуфорд Р. Схемные применения МОП-транзисторов. М., Мир , 1970. 188 с.

102. Redd! V., Sah Ch. Т. Source to drain resistance beyond pinch-off in metal-oxide-semiconductor transistors (MOST). - 1ЕЕЕ Trans. , 1965, ED-12, № 3, p. 139-143.

103. Першенков В. С, Степаненко И. П., Яворовская Р. Я- Дифференциальные параметры МДП-транзистора в области насищения. - Изв. вузов. Радиоэлектроника , 1971, № 3, с. 337-343.

104. Schmidt А. Ein Beitrag zur Approximation der MOS-FET-Kennlinien.- Nachrichtentechnik , 1969, vol. 19, H. 11, S. 129-140.

105. Басиладзе С. Г. Расчет параметров субсистемы памяти на МДП-тран-зисторах одного типа. - Изв. вузов. Радиоэлектроника , 1970, № 1, с. 3-11,

106. Байков В. Д., Кармазииский А. Н., Немчинов В. М. Влияние потенциала подложки на вольт-амперные карактеристики унитрона со структурой МДП.- Известия вузов. Радиоэлектроника , 1969, № 5, с. 461-470.

107. Shannon J. MOS frequency soars with ion-implanted layers. - Electro-nics , 1969, vol. 42, № 3, p. 96, 9&-100.

108. Negro v., Cassidy M., Graveson R. A guarded insulated gate field effect electrometer. - 1ЕЕЕ Trans, , 1967, NS-14, Ns 2, p. 135-142.

109. Степаненко. И. П., Зайцев Б. Д. МДП-транзистор как элемент усилительных схем. - Изв. вузов. Радиоэлектроника , 1969, № 4, с. 388-407.

110. Ходош Л. С. Технологические методы изготовления МДП транзисторов. - Зарубежная электронная техника , 1972, .Ns 1, с. 17-45.

111. Каганов И. Л. Промышленная электроника. М., Высшая школа , 1968. 559 с.

112. Полковский И. М. Стабилизированные усилительные устройства на транзисторах. М., Энергия , 1965 . 216 с.

113. 1Ингулин И. Н., Чаповский JV1. 3. Усилительные устройства на тран-зисюрах. Киев, Техника , 1971. 324 с.

114. Полупроводниковые триоды и их применение. Под ред. Р. Ши. М., Госэнергоиздат, 1957. 288 с.

115. Шац С. Я- Транзисторы в импульсной технике. Л., Судпромгиз, 1963. 251 с.

116. Волков Ю. А. О добротности усилительного каскада на транзисторе. - Изв. вузов. Радиотехника , 1962, № 5, с. 561-567.

117. Волков Ю. А. Анализ транзисторного усилительного каскада с индуктивной коррекцией. - В кн.: Полупроводниковые приборы и их применение. М., Советское радио , 1963., вып. 10, с. 478-510.

118. Боде Г. Теория цепей и проектирование усилителей с обратной связью. М., Изд-во иностр. лит., 1948. 641 с.

119. Трохименко Я. К. Обратная связь в схемах с кристаллическими триодами. - Радиотехника , 1956, № 9, с. 46-53.

120. Нагорный Л. Я- Анализ и расчет усилительных схем. Киев, Гостехиздат, 1963. 244 с.

121. Moulon J. Les transistrons dans les amplificateurs, Paris, Gauthier-Villars, 1956. 316 p.

122. Шамшин В. М. Параметры усилителей с обратной связью на полупроводниковых триодах. -- Электросвязь , 1961, № 3, с. 24-32.

123. Ковальский Е. Ядерная электроника. Пер. с англ. М., Атомиздат, 1972. 360 с.

124. Цитович А. П. Ядерная радиоэлектроника. М., Наука , 1967, 536 с.

125. Анисимов В. И. Полупроводниковые усилители низкой частоты с непосредственной связью каскадов и обратной связью по постоянному току. - Радиотехника , 1963, № 3, с. 65-71.

126. Лебедев В. И. Некоторые свойства эмиттерного повторителя. - В кн.: Транзисторная электроника в приборостроении. М., Оборонгиз, 1959, с. 71-94.

127. Файзулаев Б. Н. Эмиттерный повторитель в импульсном режиме. - Радиотехника , 1960, № 1, с. 60-67.

i 128. Stampf! R. Transistor amplifiers with extremely high input impedance.- Proc. NEC , 1955, vol. 11, p. 67-71.

129. Чистяков H. И. Транзисторные резонансные усилители. М., Связь , 1964. 32 с.

130. Радиотехнические схемы на транзисторах и туннельных диодах. Теория и расчет. М., Связь , 1966. 512 с.

131. Трохименко Я. К- Радиоприемные устройства на транзисторах. Киев, Техника , 1964. 416 с.

132. Ложников А. П., Сонин Е. К. Каскодные усилители. М., Энергия , 1964. 128 с. .

133. Судаков Ю. И. Амплитудная модуляция и автомодуляция транзисторных генераторов. М., Энергия , 1969. 392 с. ,

134. Цыкии Г. С. Электронные усилители.. М., Связьиздат, 1960. 487 с.

135. Ши P. Ф. Усилители звуковой частоты на полупроводниковых триодах. М., Изд-во иностр. лит., 1957. 149 с.

136. Конев Ю. И. Полупроводниковые триоды в автоматике. М., Советское радио , 1960 . 447 с.

137. Коссов О. А. Усилители мощности на транзисторах в режиме переключения. М., Энергия , 1964. 304 с.

138. Miles J. Metal-oxide-semiconductor transistors and their applications - Mullard Techn. Comm. , 1966, vol. 9, № 83, p. 54-63.

139. Проектирование и применение операционных усилителей. Под ред. Дж. Грэма и др. Пер. с англ. под ред. И. Н. Теплюка. М., Мир , 1974. 510 с.

140. Гальперин М. В., Злобин Ю. П., Павленко В. А. Транзисторные усилители постоянного тока. М., Энергия , 1972. 272 с. ,

141. Богомолов В. И., Николаенко Н. С, Федоров В. П. Преобразователь постоянного тока в переменный, основанный на использовании эффекта Холла. - ПТЭ, 1959, № 2, с. 134-Т-135.

142. Нелинейная, полупроводниковая емкость и ее применение. Под ред. И. П. Степаненко. М., изд. МИФИ, 1969. 147 с.

143. Шило В. Л. Линейные интегральные схемы в радиоэлектронной аппаратуре. М., Советское радио , 1974. 312 с.

144. Филиппов А. Г. Усилители постоянного тока на полупроводниковых триодах. - В кн.: Использование полупроводниковых приборов в узлах электронной аппаратуры. М., Госэнергоиздат, 1958, с. 78-110.

145. Степаненко И. П. Анализ простейших усилительных каскадов на МДП-транзисторах. - В кн.: Микроэлектроника. М., Советское радио , 1969, вып. 3, с. 159-172.

146. Степаненко И. П. Статический анализ простейшего дифференциального каскада на МДП-транзисторах. - В кн.: Микроэлектроника. М., Советское радио , 1972, вып. 5, с. 190-200.

147. Кононов Б. Н. Симметричные триггеры на плоскостных полупроводниковых триодах. М., Госэнергоиздат, 1960. 160 с.

148. Gariano W. Transient analysis of junction transistors. - IRE Trans. , 1959, ED-6, № 1, p. 90-100.

149. Васильев E. K- Экспериментальное исследование ключевого режима полупроводникового триода на постоянном токе. - Электросвязь , 1961, № 3, с. 18-23.

150. Gibbons J. Super-saturated transistor switches. - IRE Trans. , 1961, ED-8, № 6, p. 443-448.

151. Анисимов В. И., Голубев А. П. Транзисторные модуляторы. М., Энергия , 1964. 224 с.

152. Bright R., Kruper А. Transistor chopper for stable DC amplifiers. - Electronics , 1955, № 5, p. 135-137.

153. Sparkes J., Beaufoy R. The junction transistor as a charge controlled device. - Ргос. IRE , 1957, № 12, p. 310-327.

154. Абдюханов M. A., Берестовский Г. Н., Кузьмин В. А. О расчете процессов в полупроводниковых триодах методом заряда. - Радиотехника и электроника , 1960, № 3, с. 450-459.

155. Moll J. L. Large-signal transient response of junction transistors. - Ргос. IRE , 1954, № 12, p. 1773-1784.

156. Филиппов A. r. 06 особенностях переходного процесса в транзисторном ключе при активно-емкостной нагрузке. - В кн.: Полупроводниковые приборы и их нрименение. М., Советское радио , 1973, вып. 27, с. 217-226.

157. Ройзии Н. М., Маркович М. И. Накопление избыточных носителей зарядов в дрейфовых транзисторах. - В кн.: Полупроводниковые приборы и их применение. М., Советское радио , 1963, вып. 10, с. 167-200.

158. Роизин Н. М. Исследование некоторых явлений при работе транзисторов в импульсных схемах. - Изв. вузов. Радиотехника , 1959, № 4, с. 462-476.

159. Кузьмин В. А, Режим насыщения в полупроводниковых триодах при больших сигналах. - Йзв. вузов. Радиотехника , 1959, № 5, с. 566-574.

160. Харли Р. Б. Логические схемы на транзисторах. Пер. с англ. под ред. Д. Ю. Панова. М., Мир , 1965. 429 с.