2-7-8. Схема ограничения выходного напряжения по знаку.

На графике приведены характеристики схем с вакуумным диодом Дх или кристаллическим с компенсацией (кривая 1) и с кристаллическим диодом без компенсации (кривая 2). При обратном токе резистор R шунтируется диодом Дг, так что обратный ток не попадает в суммирующую точку (сетка усилителя) .

2-7-9. Схема модели идеального диода.

г

При малейшем отрицательном Хг диод Дг проводит и охватывает разомкнутый усилитель глубокой отрицательной обратной связью, так что Xz=G. При положительном лгг отпирается диод Дь так что Хг--Х1.

2-8. схемы образования зоны нечувствительности

2-8-1. Схема, отрабатывающая характеристику зоны нечувствительности.

Элементы схемы и график функции связаны соотношениями:

А в

1 I + г - 1 £ ;

R R

где R - сопротивление .входного резистора и резистора обратной связи усилителя; 7?пот - полное сопротивление потенциометра; значения Л и Б заданы в долях шкалы.

2-8-2. Схема, отрабатывающая зону нечувствительности с одновременным ограничением выходного напряжения по амплитуде.

При отсутствии Kg

В данной схеме ai=a2=B/(l+B); значение В определяется так же, как в схеме 2-6-2.

2-8-3. Модель зоны нечувствительности с мостовой схемой в цепи обратной связи усилителя.

В данной схеме

Хз>0; .<0; А - X В = х

где R-\ МОм. Погреш-ность схемы менее 1%.

2-8-4. Схема зоны нечувствительности.

В данной схеме а1=Л; а2=В; 1дф=1; А м В определяются так же, как для схемы 2-6-2. Погрешность схемы менее 0,1%.

2-8-5. Схема зоны нечувствительности на операционных реле.

у 100

ED СШ

Реле срабатывает от отрицательного суммарного сигнала на входе схемы сравнения. Потенциометры настраиваются под нагрузкой а\=А; а2=В.

2-8-6. Схема модели зоны нечувствительности на стабилитронах.

Модель сглаживает изломы характеристи-

\ ки на переходе в зону нечувствительности. В схеме ai регулирует зону нечувствительности, а Я - наклон ветвей характеристики.

2-8-7. Схема модели высокоточных характеристик нечувствительности и ограничения.