1-1. схемы элементов НЕЧУЙСТВИТЕЛЬНОеТИ на кремниевых диодах и стабилитронах

2-2-1.Схема, в которой зона нечувствительности образуется с помощью двух кремниевых диодов.

о -о

Вид графика функции определяется видом вольт-амперных характеристик этих диодов.

2-2-2. Схема цепи обратной связи операционного усилителя, в которой находятся два последовательно включенных стабилитрона для ограничения по амплитуде.

о-т-

2-2-3. Схема с термостабилизацией, включаемая на вход операционного усилителя.

в данной схеме (/xo=(fc-<д) (/?i4-2)/i?2. где {Ус-напряжение стабилизации стабилитрона; U - напряжение начала открывания диода в прямом направлении. Для термостабильности обычно включают два диода последовательно. При наличии нескольких ячеек диоды можно включить на входе комплекса ячеек.

2-3. мостовые схемы элементов ограничения

2-3-1. Мостовая схема на диодах. Для плоскостных диодов

Hi - -7- , 2- -7-

* лтякг * млн

где f/p - падение напряжения на диоде в прямом направлении при прохождении тока /макс или /мин-

Наклон графика функции в начале координат не регулируется, а определяется характеристиками диодов.

2-3-2. Схемы полумостового ограничения.

c-w-t-K:;:

Uo в)

2-4. схемы элементов образования зоны нечувствительности - ограничения

2-4-1. Схема на плоскостных кремниевых диодах.

Резистор Ri определяет наклон характеристики и совместно с образуют входной делитель. Выходные резистор Rs и диод определяют максимальный выходной ток. Ориентировочный расчет сопротивлений резисторов может быть выполнен по формулам:

макс X2 макс

максимальный выходной ток элемента; Uxi - напряжение начала открытия элемента; Ux2 - напряжение перехода в полностью открытое состояние; f/д - падение напряжения на диоде при /макс-

Характеристика, изображенная штриховыми линиями, соответствует положительному опорному напряжению, приложенному к резистору R2.

2-4-2. Схема, инверсная к 2-4-1, на выходе которой образуется отрицательный ток.

Расчеты выполняются по тем же формулам, что и для схемы, представленной

в п. 2-4-1.

2-4-3. Схема элемента образования зоны нечувствительности - ограничения на стабилитронах.

0-4ZZI

-fcj~o---f