2-6-9. Схема ограничения амплитуды выходного напряжения на стабилитронах.

o-tZI}-

При. отсутствии. Hammuff

в этой схеме не достигается точное ограничение. 2-6-10. Схема ограничения амплитуды на операционных реле.

Q100

-700

---в

\PZ\

Реле срабатывают от отрицательного суммарного сигнала на входах компараторов. а\=В; 02-А (Л и В - то же, что в схеме 2-6-2).

2-7. схемы ограничения выходного напряжения по знаку

2-7-1. Схема ограничения выходного напряжения по знаку.

0,5В

0,5Б X,

1-для схемы с кристаллическим плоскостным диодом; 2 - идеальная характеристика; 3 - с вакуумным диодом.

2-7-2. Схема ограничения выходного напряжения по знаку с возможностью смещения характеристики вдоль оси абсцисс и некоторой коррекции нелинейности характеристики диода. ;

В данной схеме

fO при х,-А<0;

\ - - Л при л:,-}-->0. При включении диодов обратной полярностью - fO прид:,4-Л>0;

\ -л:, -Л при л:,4-Л<0.

Соединение двух таких схем может дать управляемую зону нечувствительности, где Л=/(т). При Л=0 имеем модель идеального диода.

2-7-3. Схема ограничения выходного напряжения по знаку высокой точности.

X, /Р

в проводящем состоянии диоды оказываются включенными .внутрь контура цепи обратной связи усилителя с большим коэффициентом усиления, так что их сопротивления в проводящем направлении и приложенные к ним опорные напряж;ения делятся на коэффициент усиления по конту15у. Когда диод Д] начинает запираться, большой коэффициент усилителя в разомкнутом состоянии приводит к скачкообразному изменению Хг; в результате диод Д] резко запирается.

2-7-4. Схема ограничения выходного напряжения по знаку на реле.

га -

в этой схеме

О при Jc,<e; л: = . О или л:, при л:,[<е; [л-, при л:, >б,

где е - зона нечувствительности компаратора К\.

2-7-5. Схема для образования функции ограничения специального вида.

2-7-6. Схема для образования еще одной функции ограничения специального вида.

2-7-7. Схема ограничения выходного напряжения по знаку с компенсацией тока обратной проводимости кремниевых диодов (с помощью диода Да).