и электрически хорошо сочетаются с микрополосковой линией передачи и могут быть с успехом использованы в ИС СВЧ. Их крепление к общей подложке осуществляется с помощью пенопласта или диэлектриков полистирольного типа, взятых в минимальных количествах с целью исключения их влияния на параметры микросхемы. Дисковый резонатор укрепляется с помощью проходящего через его ось (в минимуме электрического поля резонатора) стержня небольшого диаметра, что обеспечивает минимальное возмущающее действие.

Широкое применение находят объемные резонаторы из монокристаллов железо-иттриевого феррит-граната (ЖИГ), чаще всего сферической формы, имеющие узкую резонансную кривую, высокую нагруженную добротность (порядка нескольких тысяч) при малых геометрических размерах. Собственная частота колебаний в феррите связана линейной зависимостью с напряженность.ю поля подмагничивания, что позволяет осуществить также электрическую перестройку частоты резонатора.

10.5. РАСЧЕТ МНОГОПОЛЮСНЫХ СВЧ УСТРОЙСТВ

Для решения мнопих практических задач ио расчету СВЧ микросхем достаточно определить основные процеосы а xajpaxTepHCTHKH С1ВЧ устройств не внутри них, а яа выходных зажимах. При этом СВЧ устройство иредставляется многополюсником, у которого исследуются уже не электричеокие и магнитные поля на его входах, а токи и напряжения шши волны напряжения и тока на его зажимах.

Многоиолюсные СВЧ устройства, как правило, состоят из соединенных между собой простейших элементов с известными гволновььмИ иараметрами (см. табл. 10.4). В этой .таблице введены следующие о.боэначекия:

Z = z/zbi, R - Zji/ZBi, r=l/Z=ZBi/z, е = 2п;/Хв=р/, 7==a-]-ip,

Zbi и Zb2 - ненормированные волновые сопротивления !п.од.Вадяш1И линяй; Z и Z - нормированное -и. ,нбнорм ,р.ов1энное .полное сапротивление.

Указанные .волвавые матрицы для полооковых элементов оправедливы от сколь угодно низиих Частот до частоты интенсивного (возбуждения высших типов волн, т. е. во Всей .рабочей полосе (частот. При расчете сложного полос-кового устройства проводится его расчленение (декомПоз.иция) на ряд простых элементов ic известными иараметрами, а затем с помощью специальных алгоритмов воосганавливаются характеазистиии .устройства в .целом. Ниже остановимся на ряде алгоритмов, п013в.оляющих Шерейти от простых пош.осковых элементов к более СЛ.ОЖНЫМ.

Как правило, на СВЧ любой четы:реХПОЛЮснн1К сложной структуры можно представить каскадным соединением элем.ентарных четырехнолюсвиков с известными матрицами передачи. РезультирующзЯ матрица иередагаи каскадного соединения четырехполюсииков равна праизв-едению матриц передачи еосгав-ляющих четырехполюсник.ов, .цричем перемножение матриц ведется по натрав-

Таблица 10.4

Матрицы элементов схем

Название и схема четырехпо люсника

il. Последовательное сопротивление

Z+R+l R-Z-l Z+R-l R-Z+l

1 *

Z+R + l

Z+R-l 2yR 2VR Z-R+l

2. Параллельное conpo-

oi тивление to

Z Zbz

r(l+Y)+l r(l+Y)-1

2yR [r(1-Y)-1 r(l-Y)+1

R(l+V) + 1

R(l~Y)-l 2VR 2VR i-mxY)

3. Отрезок однородной

передающей линии без потерь

Окончание табл. 10.4

Название и схема четырехполюсника

4. Отрезок передающей линии с потерями

°-]-1-° -

fiV 0 0 e--

0 f-f

e- 0

5. Прямое соединение линий с различными волновыми сопротивлениями

2б/ о-ШШИПг

i?-f 1

r-\ 2yR 2-Vr 1-R

6. Двухполюсник

левых клемм)

n--I

7. Двухполюсник (у правых клемм)

Zb --о

ri-K

1 + К О 1

1 О . 1-Y