Уменьшение ширины ограничено предельными возможностями технологического процесса и требуемой максимально допустимой величиной рассеиваемой мощности. Считается допустимым рассеивать в резистивной пленке на подложке из материала поли-кор до 20 E/cм. Реально в сосредоточенных пленочных резисторах можно рассеивать мощности примерно до 0,5 Вт. При больших мощностях используются вышеописанные распределенные резисторы.

После выбора ширины резистивного слоя, исходя из требуемого числа квадратов (для реализации заданного R), определяют длину, резистора, учитывая, при этом некоторую поправку (удлинение) на необходимые перекрытия с проводящими проводниками. При реализации сопротивлений от 25 до 500 Ом величина перекрытия изменяется соответственно от 0,7 до 0,2 мм.

В СВЧ резисторе имеет место распределенная шунтирующая емкость, которая снижает номинал полного сопротивления на высоких частотах по сравнению со значением сопротивления на постоянном токе. Для устранения этого недостатка экранную поверхность под резистором удаляют.

В согласованных СВЧ нагрузках сосредоточенный резистор (с сопротивлением, равным волновому сопротивлению линии) включается между подводящей линией передачи и короткозамыкате-лем (элементом заземления). Заземление выполняется через металлизированное отверстие в плате (рис. 10.13,с). с помощью перемычек через отверстие или за счет соединения резистора с экраном через металлизированную торцевую поверхность диэлектрической платы (рис. 10.13,6). Такие решения часто оказываются сложными в реализации. Поэтому в ряде случаев прибегают к следующему искусственному приему: к выходу резистора подключают разомкнутый на конце отрезок линии длиной /шл=Лв/4, за-

Рвгштор

Резистор

Резистор

Рис. 10.13. Резистор я способы его заземления: а-через металлизированное отверстие ib плате; б--через металлизированную тцрцевую поверхность ллэты; в - с помощью .одного раЗОМкеутого шлейфа; г-с помощью двух разоминутых .шлейфОв

земляющий резистор на СВЧ (рис. 10.13,е). Параллельное включение в одно сечение двух и более разомкнутых шлейфов (рис. 10.13,г) с различными длинами, несколько отличающимися от Яво/4, соответствующей центральной частоте, позволяет .расширить рабочую полосу частот (полосу хорошего заземления на СВЧ).

Подстройка номинала резистора производится путем изменения его формы с помощью подрезки резцом, лазерным или электронным лучом, а также за счет уменьшения толщины резистив-ного слоя при абразивной подгонке или формировании окисной пленки.

Помимо пленочных резисторов в ИС СВЧ используются различные типы малогабаритных навесных резисторов: ниточной конструкции (С2-12, СЗ-3 и т. д.), таблеточные (СЗ-2), ЧИП (С6-4, С6-9) и др.

Нерегулярности. Источниками высших типов волн и паразитного излучения в ИС СВЧ могут быть различные нерегулярности: изгиб линии, разомкнутый конец линии, изменение ширины линии, Т-образное соединение и др. Влияние этих нерегулярностей на электрические характеристики СВЧ схем усиливается с повышением рабочей частоты, когда геометрические размеры нерегулярностей становятся соизмеримыми с длиной волны в линии передачи.

Нерегулярность в виде изгиба (рис. 10.14,с) микрополосковой линии имеет эквивалентную схему (рис. 10.14,6), в которой параллельная емкость С обусловлена накоплением заряда, а последовательная индуктивность L искажением магнитного поля в изгибе. С целью уменьшения отражений от изгиба (уменьшение величин С и L) изгиб следует выполнять со скосом (рис. 10.14,е). Величина скоса X/d зависит от частоты, параметров линии передачи и угла изгиба. ,

7>

Рис. 10.14. Прямоугольный изгиб: а - некомпсвсирОваиный; б - эквивалентная схема; в - компенсированный

Нерегулярность в виде Т-образного соединения (рис. 10.15,а)

часто встречается в полосковых схемах СВЧ: кольцевых и шлей-фных направленных ответвителях, Т-образных делителях мощности и др. На рис. 10.15,а показана эквивалентная схема полоско-вого Т-соединения; при этом вводятся эффективная ширина ос-

новной линии (1Гэфф1) и шлейфа (1Гэфф2), а также положение их плоскостей отсчета (референсных плоскостей) - соответственно Tz и Ти Т2.

Рис. 10.15. Т-1обраэное соединение: а--то1П10логия; б - эквивалентная схема

Нерегулярность в виде скачкообразного изменения ширины полоски (рис. 10.16,а) эквивалентна параллельной емкости (рис. 10.16,6), ее зависимость от параметров линии передачи приведена рис. 10.16,е. Нерегулярность

в виде разомкнутого конца ли- СС/Щ)У0~,ФЛ

НИИ описана в [46] и гл. 7.

2.4 10 16 1Z

0,7 0,3 0,5 0,7 Wz/m 6)

Рис. 10.16. Скачкообразное эменеаие ширины ироводиика микрополосковой линии:

а - топология; б - эквивалентная схема; е - зависимость эквивалентной емкости от лэраметров линии

9-21 257 - , :.