ного экрана. Однако на расстоянии, превышающем шаг сетки, это различие уменьшается и при дальнейшем его увеличении перестает сказываться. Проведенные исследования эффективности экранирования сетчатых экранов позволили выявить следующие общие закономерности [53]:

1) при Ь = const и одном и том же материале сетки из толстой проволоки эффективнее сеток из тонкой проволоки как в области низких (бс>2?-о), так и высоких (бс<2?-о) частот;

....... 0

Рис. 11.15. .Магнитное яоле воэбуждае1мых вихревых токов:

а - в сетчатом эиране; б-и сплошном экране

2) при Ь/го=const редкие сетки из одного и того же металла на низких частотах более эффективны, а на высоких частотах менее эффективны, чем густые. Это объясняется тем, что на низких частотах основное влияние оказывает активное сопротивление проволоки, а на высоких частотах - индуктивность, которая мало зависит от Го;

3) при одинаковых b и го в области низких частот медные сетки эффективнее стальных за счет более высокой удельной проводи7 мости меди, однако с повышением частоты это различие уменьшается;

4) при произвольной ориентации помехонесущего поля токи достаточно хорошо переходят с одной проволоки на другую в местах перекрещивания даже в старых сетках, покрытых коррозией. В результате для нормальной работы экрана следует обеспечивать надежный электрический контакт по швам в местах соединений отдельных частей сетки.

11.5. ЭКРАНИРОВАНИЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОЛЕЙ

Функциональные узлы и элементы радиоэлектронной аппаратуры, несущие большие напряжения с малыми токами, создают в ближней зоне электромагнитные поля с преобладанием электрической составляющей. Преимущественное влияние электрических полей на аппаратуру имеется также в случае, если рассматриваемое устройство нечувствительно к магнитной составляющей или последняя много меньше за счет свойств излучателя или соответствующей поляризации электромагнитного поля помех. При этом способ переноса помех за счет электрической индукции наиболее распространен в аппаратуре.

Рассмотрим электрическую связь источника и рецептора помех (рис. 11.16, а) с помошью схемы замещения (рис. 11.16,6), на которой действие электрического помехонесущего поля представлено эквивалентной емкостью связи Сев. Напряжение помех в цепи рецептора

= и 2p/(Zp + 1/1 £0 Сев). (11.39)

В (11.39) и на рис. 11.16, в обозначено: - ЭДС источника помех на частоте со; Zp - комплексное сопротивление рецептора помех, состоящее из параллельно включенных входного сопротивления Zbx и емкости Ср относительно корпуса. Практически Zp Cl/coCcB, что позволяет представить (11.39) в виде

Рис. 11.16. Перенос помех путем электрической индукции (а); общая схема замещения (б); с -резонансным контуром

Если входное сопротивление рецептора- помех является чисто активным Zb7l=R и /?С1/соСр, напряжение помех ир а:еишСсвЯ, т. е. прямо пропорционально ЭДС источника помех, его частоте, входному сопротивлению рецептора и емкости связи между цепью рецептора и источника помех. При Rl/coCp в соответствии с (11.39) напряжение помех находится как

рп = е Сев/(Сев + Ср). (11.41)

Обычно Ср>Ссв, и, следовательно, согласно (11.41) напряжение помех на рецепторе ирпСваСсв/Ср.

В частном случае настройки резонансного контура на основную частоту или гармонику основной частоты со мешающего сигнала источника помех (рис. 11.16, в) [55]:

ZpZ /d9=l/coCda,

где С - емкость контура; Zc=l/coC - волновое сопротивление контура; йэ - эквивалентное затухание контура, определяемое через добротность Q как ds=l/Q.

Так как практически Zp<c: 1/соСсв, то согласно (11.40)

U,ce \QCjC. (11.42}

Следовательно, как и в случае магнитной связи, связь по электрическому полю оказывается тем опаснее, чем выше добротность используемы.х контуров.

Рассмотрим влияние электрической связи, определяемой конечной длиной сигнальных проводников в устройствах цифровой обработки информации с помошью упрошенной схемы замешения (рис. 11.17), полагая, что импульсное напряжение переключаю-

- J \[f jC* ип\ 4 J

RbM =j=p /78ЫХ

Puc. 11.17. Перенос помех емкостным путем в устройствах на цифровых интегральных схемах (а); общая схема замещения (б); упрощенная (в)

щейся цифровой интегральной микросхемы изменяется линейно. Учитывая, что постоянная времени цепи то~ Ссввых мала, напряжение помех на входе микросхемы, являющейся рецептором помех, приближенно определяется как

~ Сев /?вых yj- = Уш ЧП, ( 11.43)

где .Vm.H т - соответственно амплитуда и длительность фронта импульса напряжения переключения цифровой микросхемы, являющейся источником помех.

Отметим, что, как и в случае магнитной связи, следует ограничивать величину емкостной связи во избежание ложного срабатывания цифровых интегральных микросхем при превышении помехой значения порога переключения.

Для определения влияния конструктивных параметров на перенос -помех путем электрической индукции определи.м величину взаимной емкости связи между элементами конструкции, полагая, что расстояние между ними / значительно меньше расстояний до других тел и их размеры так малы, что Ссв<С:Си и Ссв<ССр (рис. 11.16, а) [57]. В соответствии с (11.41) при входном сопротивлении рецептора помех R = oo:

f/p ~e Сев/С,.

(11.44)