Главная страница  Волноводы миллиметрового диапазона 

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 [ 83 ] 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132

Продолжение табл. 10.2

Конструкция элемента

Формулы для расчета


120я2в(/1, е=1)

Z\(h, I, е) h

(рис. а)

С-в Ф, с=3-10 мм/с, / - в мм, 1 - в Ом

3. Последовательная индуктивность

Z6 о-

L -в .Гн, с = 3-1011 мм/с, /-в мм, 1 - в Ом

L 200,5-10 I

X In

I X - 1,76

L - в нГн,

I - периметр в мм,

W -в мм,

t - толщина ;в мм (рис. б)

0,8а2Л/2

L = 39,3-- ,

6а + 106

1 + .

6 = /?2 - 1 .

L - в нГн, а, b - в мм, Ri - внутренний радиус, в мм.

Яг - внешний радиус, в мм, N - число витков (рис. б)

L = 8,5S/2 Л/6/3

L -в нГн,

S - площадь в см



Окончание табл. 10.2


Формулы для расчета

4. Параллельная .индуктивность

Т-°

t Ze Л-о

Величина емкости таких нланарных конструкций ограничена технологическими возможностями получения малых зазоров S. Так, например, при ширине зазора около 50 мкм величина емкости со-ставляет не более 4 пФ. На частоте 2 ГГц добротность такого конденсатора составляет величину порядка 600.

Последовательная и параллельная емкость большей величины может быть реализована в виде трехслойной пленочной структуры (рис. 1,е табл. 10.2), содержащей обкладки и слой пленоч- ного диэлектрика между ними. Точность выполнения номиналов пленочных конденсаторов составляет 10-15%. Если необходима более высокая точность, применяется подстройка номиналов емкости с помощью соединения изолированных друг от друга нодст-роечных площадок верхней обкладки (рис. 1,г табл. 10.2). Соединение осуществляется проводящими перемычками.

Параллельная емкость образуется между заземленной пластиной и проводником микрополосковой линии и выполняется в виде прямоугольного плоского конденсатора (рис. 2,а. табл. 10.2) или в виде одинарного или сдвоенного (рис. 2,6 табл. 10.2) шлейфа с низким волновым сопротивлением.

Конденсаторы, у которых верхняя обкладка (в плоскости проводника микрополосковой линии) выполнена прямоугольной или круглой, имеют низкую емкость на единицу площади (0,1 пФ/мм при е~10, /г = 0,5 мм). Однако такие конструкции позволяют получить высокую добротность, высокое пробивное напряжение, точное значение требуемой емкости.

Индуктивности. Последовательная индуктивность выполняется в виде короткого отрезка полосковой линии длиной /<Лв/8 с высоким волновым сопротивлением (рис. 3,с табл. 10.2).

Сосредоточенные индуктивные элементы могут быть реализованы в одно- и трехслойном варианте. Однослойные индуктивности с малой величиной индуктивности (менее 1 нГн) представляют собой один плоский виток (рис. 3,6 табл. 10.2), а трехслойные - спираль круглой или прямоугольной (квадратной) формы (рис. 3,е, г табл. 10.2), у которой центральный вывод пропускается над катушкой и изолируется от нее диэлектрической пленкой. Су-



ществующая технология позволяет получить индуктивные спирали с добротностью Q~100 и номинальными значениями L= = 1-100 нГн. При расчете индуктивности влиянием заземленного основания можно пренебречь, если высота подложки более чем в 10-20 раз превышает ширину проводника спирали.

Параллельная индуктивность может быть выполнена в виде короткозамкнутого параллельного шлейфа длиною КХв/8 (рис. 4 табл. 10.2).

LC-структуры представляют собой плоские конденсаторы, у которых одна из обкладок заменена плоской спиралью. Такие структуры используются на частотах от 10 МГц до 6 ГГц и выше.

Резисторы. Распределенные пленочные резисторы для симметричных полосковых линий имеют вид пленки специальной формы с нанесенным на нее поглошающим слоем, которая помещается над центральным проводником и зажимается между двумя диэлектрическими пластинами линии. Микрополосковая нагрузка может быть выполнена на основе микрополосковой линии с высоким значением вносимого затухания, у которой верхний проводник имеет поверхностное сопротивление Rs, значительно большее, чем поверхностное сопротивление заземленного основания. Для реализаци большой величины Rs толщину верхнего проводника ti выбирают много меньше глубины скин-слоя или же используют материал верхнего проводника с низкой электропроводностью. С целью пол5 1ения больших значений затзханий при ограниченных габаритах микросхемы проводник нагрузки свертывается в спираль или меандровую линию.

Сосредоточенные резисторы в ИС СВЧ используются в качестве согласованных нагрузок, в СВЧ сумматорах и делителях мощности, в цепях управления и питания. Резисторы, как правило, имеют прямоугольную форму. Сопротивление пленочного резистора ,

R = RJ/W = R,n,

ГДЕ I н W - длина и ширина резистора, п - число квадратов ре-зистивной пленки или коэффициент формы, характеризующий степень отличия формы резистора от квадратной;

Поверхностное сопротивление пленочного резистора (или сопротивление квадрата пленки) равно

R, = l/at.

Для уменьшения размеров резистора необходимо увеличивать Rs (Ом/П) за счет уменьшения толщины резистивной пленки. Однако при этом у тонких пленок появляется неоднородность по химическому составу и структуре, что приводит к уменьшению выхода годных элементов на начальных операциях изготовления и к нестабильности их во времени; кроме того, существует оптимальное значение толщины t, определяемое температурным коэффициентом сопротивления.



1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 [ 83 ] 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132

© 2000 - 2024 ULTRASONEX-AMFODENT.RU.
Копирование материалов разрешено исключительно при условии цититирования.