ных методов, большинство из которых использует допущение о квази Т-волне. Данные таких расчетов представлены на рис.. 10.12, где показана связь геометрических размеров связанных линий с волновыми сопротивлениями Zee и Zbo. При синтезе микрополосковых связанных линий по известным параметрам Zae и

Рис. 10.11. Микрополосковые связавные линия: с - сечение линий; б - четный вид возбуждения; в - нечетный вид шозбужщениж

Zbo (горизонтальные штриховые линии а рис. 10.12) определяется такая пара кривых, соответствующих одному из параметров 5/7г, которая дает две точки пересечения с соответствующими горизонтальными линиями Zee И Zbo, лсжащие На одной вертикальной прямой, однозначно определяющей значение Wjh.

Рис. 10.12. Зависимость соаронивления связанных микраполооковых линяй при-четном (етлошиые линии) и нечетном (штриховые линии) видах вовбуждення. от Wlh для раеличных Sjh и е

Волны четного и нечетного видов, являясь волнами Т-тииа, обладают различными фазовыми скоростями. В связи с этим имеется различие длин волн при двух видах возбуждения. Реально длина волны при нечетном виде возбуждения Хво может превышать длину волны при четном виде возбуждения Кве на 10-20%.

Резонансные размеры отрезков связанных микрополосковых линий определяются длиной волны Крез=Хо/ VБэфф, причем 1- 8эфф находится из соотношения

Кезфф = 0,5[(1/4--Квзфф )+/(1/е,фф, -1/83ФФ J], (10.18)

где i(= (2ве-2во)/(2ве+2во), 8эффе И 8эфф о - эффективные диэлектрические проницаемости при четном и нечетном видах возбуждения.

10.3. ЭЛЕМЕНТЫ СВЧ МИКРОСХЕМ

Элементы СВЧ микросхем в зависимости от геометрических размеров имеют распределенную или сосредоточенную структуру. Элементы с сосредоточенными параметрами в отличие от элементов с распределенными параметрами имеют размеры значительно меньшие длины* волны в соответствующей линии передачи

(/<>.в/10).

В табл. 10.1 приведены сравнительные характеристики схем с сосредоточенными и распределенными параметрами, причем сопоставление проводится по пятибалльной шкале (1 - лучшая характеристика).

Таблица 10.1

Сравнительные характеристики схем с сосредоточенными и распределенными параметрами

Емкости. Наиболее распространенные конструкции пленочных емкостных элементов приведены в табл. 10.2. Типичные топологии последовательной емкости, образуемой за.счет зазора в печатной линии передачи (рис. 1,а,б, табл. 10.2), просты в реализации (не требуют дополнительных технологических операций). Зазор может быть прямолинейным, пилообразным, иметь форму меандра и т. п.

Пленочные емкости и индуктивности

Таблица 10.2

Конструкция элемента

Формулы для расчета

1. Последовательная емкость

У Л

2б О-

Дисиретные ладстроиш ЩШЩ Основная

Первмычна

C=(e+l)eo/[2Ai(iV--1)-1-Л2],

/ Й \0,25

= 0.614(-j X

1Т;

-Ь 0,408, С - в пФ/ед. длины,

- число секций, ft - толщина подложки . (рис. б)

С =0,0885-- , ft

С-в .пФ; /, h - в .см (рис. б)

2. Параллельная емкость

С Ze

С - С(-\- 2Ск1 -}- 2Ск2 >

120я2е(1Г, ft,8= 1)

(W, ft, 8) 8tt7

8oir Ck2 = 2 X