окислением. Конденсаторы на основе окиси тантала могут иметь емкости до 10 пФ.

В конденсаторах на основе моноокиси кремния можно получить емкости от 10 до 1000 иФ, но они не обеспечивают высокой воспроизводимости.

Остановимся на основных различиях тонкопленочной и толстопленочной технологии изготовления ИС СВЧ. Сразу следует заметить, что эти понятия характеризуют способ нанесения пленки, а не ее толщину. При толстопленочной технологии смеси на основе золота и серебра вжигаются в подложку при высокой температуре. Типовой технологический процесс получения толстопленочной схемы включает следующие операции: нанесение и сушку проводящих паст для проводников и нижних обкладок конденсаторов, вжигание этих материалов, нанесение и сушку диэлектрической пасты, нйнесение и сушку резистивных паст, вжигание.

Толстопленочные схемы получаются трафаретной печатью через металлические маски или с использованием фотолитографии. Технология производства толстопленочных схем самая простая и дешевая, не требует высокой квалификации обслуживающего персонала. Однако вжигаемая двухкомпонентная смесь (металлическая паста со стеклянной связкой) не позволяет получить четкий рисунок схемы (допуск ±20 мкм), которая, кроме того, имеет сравнительно большие потери на высоких частотах. Указанные недостатки ограничивают использование толстопленочной технологии, особенно в верхней части СВЧ диапазона.

Изготовление микросхем СВЧ диапазона (/>1 ГГц) с малыми потерями, требующих высоких точностей реализации геометрических размеров (допуск ±5 мкм), проводится с помощью тонкопленочной технологии. Технологический процесс получения тонкопленочной схемы включает следующие операции: вакуумное напыление тонкого адгезионного подслоя й проводящего слоя, проведение фотолитографической обработки для получения необходимой конфигурации элементов, увеличение толщины проводящего слоя гальваническим методом и нанесение защитного покрытия.

К недостаткам тонкопленочной технологии следует отнести сложность требуемого оборудования, особые требования к технологическим режимам и гигиене помещений.

10.21. РАЗРАБОТКА ТОПОЛОГИИ ПОЛОСКОВЫХ ПЛАТ

Разработку топологии следует производить поэтапно (см. ОСТ4ГО.010.202):

разработка схемы соединений пленочных элементов на плате, т. е. выбор взаимного расположения микрополосковых линий, резисторов, конденсаторов, дросселей, контактных площадок и т. п., удовлетворяющий предъявляемым к топологии конструктивным и электрическим требованиям;

расчет геометрических размеров пленочных элементов (резисторов, индуктивностей, конденсаторов);

выбор формы и размещение пленочных элементов на рабочей площадке подложки;

оценка качества разработанной топологии и при необходимости проведение соответствующих ее корректировок.

Разработанная топология полосковой платы должна обеспечивать нормальную работу схемы, учитывать технологические ограничения, обеспечивать возможность контроля электрических параметров схемы.

Перед вычерчиванием топологии геометрические размеры элементов пересчитываются в систему координат автоматического координатографа, составляются контрольные таблицы координат, подготавливаются перфоленты с информацией о слоях микрополосковых плат в кодах чертежно-графического автомата и автоматического координатографа. Затем вычерчивается топология микрополосковой платы на чертежно-графическом автомате и изготавливаются фотооригиналы слоев микрополосковой платы на автоматическом координатографе.

Глава 11

Конструкции экранов радиотехнических

устройств

11.1. ОБЩИЕ ЗАМЕЧАНИЯ

Надежность передачи, приема и обработки сигналов, несущих информацию в радиоэлектронной аппаратуре, зависит от степени ее помехозащищенности и определяется в заданных условиях эксплуатации действием электромагнитных помех. Электромагнитными помехами называются электромагнитные, электрические и магнитные процессы, созданные любым источником в пространстве или проводящей среде, которые нежелательно влияют на полезный сигнал или могут создать такое влияние. В этой связи под электромагнитной совместимостью радиоэлектронных средств понимается их свойство функционировать с требуемым качеством в реальных условиях эксплуатации одновременно с другими радиотехническими, электронными и электротехническими средствами при воздействии непреднамеренных электромагнитных помех, не создавая недопустимых электромагнитных помех другим радиотехническим и электронным средствам. Приведенное понятие электромагнитной совместимости радиоэлектронных средств является общим и может быть также использовано при конструировании интегральных микросхем, микросборок, функциональных узлов, блоков и устройств РЭА. Актуальность проблемы электромагнитной совместимости постоянно возрастает в связи со следующими основными тенденциями развития радиоэлектроники:

1) непрерывное увеличение радиоэлектронных средств, значительное усложнение их функций и состава, что приводит к повышению уровня непреднамеренных электромагнитных помех в окружающей среде (усложнению электромагнитной обстановки);

2) увеличение излучаемых мощностей передатчиков, имеющих помимо основного излучения и неосновные излучения (внеполос-иые и побочные), которые могут являться мешающими для других радиоэлектронных средств;

3) повышение чувствительности приемных устройств радиоэлектронной аппаратуры, имеющих, помимо основного, побочные каналы приема;

4) недостаток радиочастотных каналов, свободных от помех. При этом электромагнитные помехи следует рассматривать как

один из видов загрязнения окружающей среды, так как возможности радиочастй)тного ресурса, особенно в последние годы, все больше ограничиваются. В связи с этим одной из наиболее важных задач, стоящих при конструировании РЭА, является обеспечение условий электромагнитной совместимости как для отдельных функциональных узлов, так и для комплексов аппаратуры в целом. Проектирование радиоэлектронной аппаратуры с учетом требований обеспечения электромагнитной совместимости позволяет уменьшить стоимость, сократить сроки разработки, изготовления и наладки и при этом обеспечить функционирование РЭА без ухудшения качественных показателей в заданной электромагнитной обстановке.

При оценке электромагнитных помех на любом иерархическом уровне аппаратуры необходимо рассматривать следующие элементы:

1) источник помех;

2) среда распространения помех;

3) рецептор помех, т. е. устройство, иеменяющее значения своих параметров под влиянием постороннего электромагнитного возмущения.

Для характеристики рецептора вводят представление об,-его восприимчивости, под которым понимается реакция устройства на электромагнитные помехи, являющиеся по отношению к нему внешними.

Количественно восприимчивость может быть выражена через отношение полезный сигнал-внешняя помеха. При анализе электромагнитной совместимости необходимо использовать именно это понятие, так как известное представление о чувствительности относится к реакции устройства на полезный сигнал и количественно характеризуется отношением сигнал-собственный шум устройства при отсутствии внешних помех.

Электромагнитные помехи могут образовываться как внутри радиоэлектронной аппаратуры (внутрисистемные помехи), так и между радиоэлектронными средствами (межсистемные помехи).

Источник помех может воздействовать на рецептор помех по электромагнитному полю и кондуктивным (гальваническим) пу-