Главная страница  Волноводы миллиметрового диапазона 

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 [ 68 ] 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132

ставляет значительные трудности, в то время как .регенеративный .усил1ит€ль может .быть .сделан практически на любую частоту. К тому же габариты циркуляторов на 9ТШ. частота.х невелики. Поэтаму усилители на транзисторах чаще вСего используются на частотах ниже 10 ГГц, а усилители на диодах с отрицательны.м сопротивлением - на верхних частотах дециметрового диапазона, в сантиметровом и миллиметровом диапазонах .волн. Усредненные значения па-ра.метров современных усилителей на полупроводниковых приборах ириведены в табл. 8.6.

Таблица 8.6

Усредненные параметры усилителей на полупроводниковых приборах

Наименование параметра

Усилитель

на туннельном диоде

на лавино-пролетвом диоде

на диоде Ганна

на параметрическом диоде

на транзисторе

Диапазон рабочих

частот, ГГц

0,5-18

4-60

3-20

0,5-35

0,5-10

Рабочая полоса, %

15-100

5-10

15-100

5-15

10-70

Коэффициент уси-

ления, дБ

10-20

10-20

5-30

15-40

15-45

Коэффициент шума.

15-30

7-25

0,3-3

2-20

8.12. ГЕНЕРАТОРЫ НА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРАХ

Генераторы на полупроводниковых приборах ъ настоящее время наиболее широко использ)ТОт.ся как .местные гетеродины приемников и в измерительной технике. Они могут быть изготовлены как на фнисиров.анные частоты, так и с перестройкой (.механической и электрической). При электрической перестройке частоты .исп.ольэую.тся железо-1Иттриввые гранаты .и параметрические (варактоР-ные) диоды.

Для получения генера.ц.ии диод как отрицательное сопротивление .включается в схему резонатора параллельно. Колебательная система генератора обраеуется реактивными элементами диода и элементами .внешней цепи. -На .рис. 8.39 показан пример .конструкции генератора на диоде с отрицательным сопротивлением. В такой схеме внешняя нагрузка и имиульсное надряжение от источника смещения подсоединяются к диоду при помощ.и двух .коаксиальных волноВОдов. Для стабилизации .колебаний генератора ключено .дисковое сопротивление 10 Ом (1). .Ступенчатый трансфор.матор 2 .дреднавначен для согласова.ния генератора с 50-омным выходом. Параметры диода 3 примерно слвдующ.не: /д= =20 .мА, /?i = 10 Ом; Сг = 1,0 пФ. Главным недостатком генератора на тун-нельвом диоде .Я]вляется малая выходная мощность. Наряду с вышеупомянутыми методами перестройки частоты генератор на туннельном диоде до.пускает пере-стр.ойку частоты до 15 % напряжением смещения. Генераторы на лзвинно-про-летных диодах .и ди.одах Ганна имеют подобную конструкцию, но позволяют получать значительно большие м.ащности.

На рис. 8.40 пр.ивед€Н пример конструкции генератора непрерывного генерирования на лавинно-шролетном диоде. В этой .конструкций ииод 4 .помещен



в резонатор б; .для подачи смещения .на диод предусмОтрен вьШод 8, заблоки-роваиный СВЧ дросселем 7; частота генерации перестраивается винтом 5, меняющим резонансную частоту резонафора; энергия выводится через окно связи 2; коэффициент .связи окна меняется в.интом 3; согл-а.соваиие генератора с линией передачи осуществляется с помощью ступенчатого трансформатора 1.


Выход

ЛИмпульо смещения


Рис. 8.39. Импульсный генератор на туннельном ииоде:

/ - дисковое сопротивление; 2 - ступенчатый трансформатор; 3 - днод; 4 - резонатор; 5 - изолирующая прокладка

Рис. 8.40. Генератор на лавинно-п.ро-летном диоде:

I - ступенчатый трансформатор; 2 - окно связи; 3 - виит для изменения коэффициента связи; 4 - диод; 5 - винт для перестройки частоты генерации; 6 - резонатор; 7 - дроссель источника смещения; 8 - подключение источника смещения

В схему генератора на транзисторах кроме самого транзистора входит резонатор и .схема положительной обратной связи. Обратная связь осуществляется как с помощью внешних цепей, так я .благодаря внутренним процессам в транзисторе.

Усредненные параметры генераторов на полупроводниковых приборах приведены в табл. 8.7.

Таблица 8.7

Усредненные параметры генераторов на полупроводниковых приборах

Генератор

Наименованнепараметра

на туннельном диоде

иа лавиино-про-летном диоде

на диоде Ганна

иа транзисторе

Диапазон частот, ГГц Диапазон перестройки,

Выходная мощность, Вт КПД, %

0,5-18

15-100 0,01-0,05

1,5-70

5-20

0,01-2 0,5 -7

1,3-40

15-100

0,01-1 0,1 -8

0,5-18 10-70 0,01-5



Глава 9

Антенны

9.1. ОПРЕДЕЛЕНИЯ

Антенной называется устройство, предназначенное для излучения в свободное пространство и приема из свободного пространства энергии электромагнитных волн [41, 42].

Первоисточником электромагнитного излучения (электромагнитных волн) являются движущиеся заряды (переменные токи проводимости), поэтому И1злучать электромагнитную энергию в свободное пространство при определенных условиях может любой проводник. Система: передающая антенна - свободное пространство - приемная антенна обычно является взаимной систе-.\той, а основные параметры в режиме передачи и приема являются одними и теми же.

В технике СВЧ для приема и передачи часто применяются одинаковые антенны. Нередко в приемно-передающем устройстве используется одна и та же антенна. Следует подчеркнуть, что антенна не только выполняет функции излучения и приема электромагнитной энергии, но и обеопечивает требуемое распределение плотности излучения в пространстве (направленность), решая при этом ряд важных технических задач, связанных с увеличением дальности действия, обеспечением электромагнитной совместимости, увеличением информационной способности и улучшением других важнейших характеристик радиосистем.

9.2. КЛАССИФИКАЦИЯ АНТЕНН

Антенны классифицируются .по диапазону радиоволн, применению, общности отдельных характеристик (полосы пропускания, диаграммы направленности и т. д.) и принципу действия. Наиболее целесообразно антенны классифицировать по принципу действия, который во многом определяет форму, основные характеристики и применение антенн.

В соответствии с этим антенны можно разделить на три группы.

1. Линейная антенна - излучающая система, поперечные размеры которой значительно меньше длины волны, с переменными токами, текущими вдоль оси системы. К линейным антеннам, применяемым в диапазоне СВЧ, относятся вибраторы.

2. Антенная решетка - система однотипных излучателей, расположенных определенным образом и возбуждаемых одним генератором или несколькими когерентными генераторами. Типичными антенными решетками являются: директорная антенна, щелевая антенна, поверхностные антенны из полуволновых симметричных .вибраторов и др.



1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 [ 68 ] 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132

© 2000 - 2024 ULTRASONEX-AMFODENT.RU.
Копирование материалов разрешено исключительно при условии цититирования.