Обычно используют два вида защиты оконечных транзисторов: быстрод ствующую электронную и плавкий предохранитель, срабатывающий при дли-тельных перегрузках в цепи нагрузки. Ток срабатывания плавкого предохрани теля должен быть несколько ниже (на 2-3 дБ) максимально допустимого тока эмиттера выходного транзистора в стационарном режиме его работы, в то вре-мя как электронная защита должна срабатывать при превыщении кратковременно допустимой мощности рассеивания.

Вход/ -Вход!

Выход1 BbixoSZ

т, R21, КдО-ЮОк, R28,RZ9-31k; 0S-0,V, С10-0,П, 011-0,068, СП-0,033, 60, CIS-0,015;

сво-8гоо, cii-3sao, сп-2200. пз-юоо

Рис 2 19 Принципиальная схема октавного регулятора

На рис. 2 20 показана схема защиты оконечных транзисторов усилителя электрофона Электроника Б1-01 . Каждый канал состоит из каскада предварительного усиления Т1, фазоинвертора Т5, Т6, эмиттерного повторителя Т7, Т8 и выходного каскада Т9, Т10. В режиме перегрузки или перевозбуждения,

ПР1 75В

Выход

Рис. 2 20 Принципиальная схема оконечного усилителя электрофона Электроника Б1-01

огда возрастает амплитуда выходного тока и превышает допустимый уровень напряжения, на резисторах R22 и R23 открывают транзисторы 75, Т4, (почти рытые при номинальном режиме работы усилителя), что приводит к уменьшению напряжения на базах транзисторов Т5, Т6, и тем самым ограничивает выходной ток. Диоды Д8, Д9 предотвращают пробой выходных транзисторов при индуктивном характере внещней нагрузки. Подобный способ защиты выходных транзисторов от последствий перевозбуждения и перегрузок не является единственно возможным. Достаточно часто при защите от перегрузки или от короткого замыкания в цепи нагрузки (громкоговорителя) элементы защиты размещают в блоке питания. Не останавливаясь на описании блока питания, обратим основное внимание на систему защиты оконечных транзисторов (рис. 2 21). Заметим, что стабилизированное отрицательное напряжение используется

/72Ю

Рис 2 21 Принципиальная схема блока питания с элементами защиты оконечных транзисторов от перегрузки

как образцовое для плеча положительного напряжения Положительное напряжение регулируется резистором R23. При превышении максимального тока (для данной схемы до 8 А) положительного плеча падение напряжения на резисторе Ri8 и эмиттерных переходах транзисторов Т6 и Т7 превышает напряжения на диодах Д12-Д14. Вследствие этого составной транзистор Т6, Т7 и транзистор 2 закрываются и выходное положительное напряжение уменьшается. Это приводит к открытию транзистора ТЗ и включению тиристора Д6, который обеспечивает полное закрывание регулирующих транзисторов.

Аналогично работает схема защиты, если превышается ток при отрицательной полуволне напряжения. При этом закрываются транзисторы TJ, Т4, и Т5, вследствие чего уменьшается отрицательное напряжение стабилизатора, а вместе с ним и положительное. По сути дела это устройство защищает выпрямитель т последствий короткого замыкания или перегрузок в цепи оконечного каскада усилителя.

После устранения перегрузки необходимо кратковременно нажать кнопку ваёт * м тиристор Д6 выключается и иа выходе стабилизатора восстанавлн-тся номинальное напряжение Время срабатывания защиты в описываемой схеме не более 70 мкс.

Ё) Kononovich

djvued hy roman efimov 1 г/6/гООЗ h tip : www.f a rl e p. n etTro m a n

Весьма опасны перегрузки, возникающие из-за комплексного характера сопротивления громкоговорителя, особенно при неисправностях в фильтрах. При реактивной нагрузке возникает сдвиг фаз между выходным током и напряжением в оконечном каскаде. Если сдвиг фаз окажется близким (или кратным) п, то возникают перегрузки по току, кроме того, импульсы напряжения могут в несколько раз превысить напряжение питания. Все это может привести к быстрому разрущению эмиттерных переходов транзисторов оконечного каскада На рис. 2.22а показана схема защиты, срабатывающая не только при перегрузках обычного, но и реактивного характера, а также и при тепловой перегрузке

ДбДЗиА

Рис. 2 22. Принципиальные схемы оконечных усилителей (показан один канал) с защитой на герконовом реле, выполненных с применением германиевых (а) и кремниевых (б) транзисторов (П14 2,2к),