X .м

.11 -.11 -.04 -.01

г 20.00 к.оо

12.08 1.00

4,11

о.ез

10 20

HUE IN Ю

30.00 1 18.00 6

-6.00 -18.9 -35.Ш

20.00 7

K.eo

12. 1.00 4.00

0.09

Рис 10 38 Результаты моделирования схемы, приведенной на рис. 10 36

сятки раз) замедляет проведение анализа Не исключены случаи зависания ирограммы и отказа от моделирования

Список литературы

1. Зи. С. Физика полупроводниковых приборов. В 2-х т - М. Мир, 1984. - Т 1 - 456 с

2 Полупроводниковые приборы. Транзисторы средней н большой мощности / А А Зайцев, А И Миркин, В В Мокрянов н др, Под ред. А В Голомедова- М Радио и связь, 1989- 640 с

3. Уэбер С. Новые дискретные мощные МОП-транзисторы фирмы Motorola Электроника - 1988.- № 14 - С 38-39

4 Лаймен Д. Функциональные модули - простой способ реализации мощных гибридных ИС Электроника- 1998 - № 7- С 53-55

5 Гудинаф Ф. Новые технологические процессы - прочная основа для создания следующего поколения аналоговых, смешанных и мощных ИС Электроника - 1992- № 9 - С 29-39

6. Фьюри А. Силовые схемы с развернутым управлением-переворот в области силовых управ 1яющих устройств Электроника - 1988- № 9 - С 66-73

7. Мощные МДП-траизисторы и их применение в радиоэлектронных схемах / В В Бачурин, А К Бельков, А И Пыхтунова - М ЦНИИ Электроника , 1980- 68 с (Обзоры по электронной технике Сер 2 Полупроводниковые приборы, Вып 1)

8. Мощные МДП-транзисторы и их применение в радиоэлектронных схемах / В В Бачурии, А К Бельков, В. П Дьяконов - М ЦНИИ Электроника , 1981- Ч 2 - 60 с (Обзоры по электронной технике Сер 2. Полупроводииковые приборы, Вып 7).

9. Мощные переключающие МДП транзисторы и их применение В В Бачурин, В П Дьяконов, В С Ежов, А М Ремнев - М ЦН1Г1 <Элект-роника , 1983 - Ч 1 Проблемы конструирования - 64 с (Обзоры по электронной технике Сер 2 По >пр0Е0дииксвые приборы, Вып 10).

10 Мощные переключающие МДП-транз с оры ,i их применение / В В Бачурин, В П Дьяксив, В С Ежов, \ М I ечнев - М ЦНИИ Электроника , 1984 - Ч 2- 45 с (Обзоры по электронной технике Сер 2. Полупроводниковые приборы, Вып 1)

11. Мощные ВЧ и СВЧ МДП транзисторы - импульсные приборы наносе-кундного диапазона / О В Сопов, В В Бачурин, В П Дьяконов и др. Электронная техника Сер 2 Полупроводниковые приборы - 1978.

- Вып 5, 6 - С 103-116

12 Мощные высоковольтные ключевые МДП транзисторы для бестрансформаторных источников питания / Бачурин В В, Дьяконов В П, Левин А Б , Смердов В Ю Электричество - 1986 - № 3 - С 56-58

13 Бачурин В. В., Дьяконов В. П. Наиосекундные сильноточные и высокочастотные ключи на мощных МДП транзисторах ПТЭ - 1979 - № 5.

- С 134-136

14 Дьяконов В. П. Анализ переходных процессов в ключе на мощном МДП-транзисторе Радиотехника и электроника- 1980- Т 25, № 2 - С 399-406

15 Дьяконов В. П. Мощные МДП-трачзисторы в импульсных устройствах ПТЭ- 1980 - № 3- С 115-117

16 Исследование динамических параметров мощных МДП-транзнсторов / В В Бачурин, В П Дьяконов Т А Самойлова, О А. Фролков Электронная техника Сер 2 Полупроводниковые приборы.- 1983.- Вып 5 - С 43-52

17 Бачурин В. В., Никонов А. С, Садовская Е. А, Сопов О. В Мощный ВЧ полевой транзистор с изолированным затвором КП902 Электронная промышленность- 1975 - № 4- С 86-88

18 Бачурин В. В., Дьяконов В. П , Сопов О. В. Мощный высокочастотный МДП-транзистор КП904 Электронная промышленность- 1979- № 5.

- С 9-10

19 Бачурин В. В., Бычков С. С, Дьяконов В. П., Прушинский А. К. Мощный кремниевый МДП-транзистор КП908 Электронная промышленность - 1980- № 1 - С 44-46

20 Бачурин В. В., Бельков А. К., Левин А. Б., Садовская Е. А. Кремниевый мощный высокочастотный МДП-транзистор КП909 Электронная промышленность- 1982 - № 1 - С 24-27

21 Мощный высоковольтный МДП транзистор КП701 / В В Бачурии, А К Бельков В П Дьяконов и др Электронная промышленность, 1985- № 9 - С 21-24

22 Высоковольтный мощный МДП транзистор КП702 / В В Бачурии, А К Бельков, В П Дьяконов и др Электронная промышленность. 1986 - № 2 - С 22-23

23 Генераторный МДП-транзистор КП920 / В В Бачурин, А К Бельков, В В Поле.хов и др Электронная промышленность - 1986- № 2.- С 21 22

24 Севернз Р. Новые достижения в области мощных МДП-транзисторов Электроника - 1980- № 12 - С 52-65

25 Потапчук В. А., Потапчук В 5. Эволюция производства мощных МДП-транзисторов в 70 е годы Электротехническая промышленность Сер Преобразовательная техника - 1982- № 2 - С 1-15

26. Окснер 3. С. Мощные полевые транзисторы и их применение Пер с англ.

- М Радио и связь, 1985 - 288 с

27 Дьяконов В. П. Силовые полевые транзисторы в энергетических \строй-ствах Электричество - 1984- .4° 4 - С 27-32

28 Мощные полевые транзисторы и их применение в преобразовательной технике / А К Шидловский, Ю И Драбович, И А Кр штафович и др - Препринт-540- Киев, 1987- 54 с- (ИЭД АН УССР, 540).

29. Лемеитуева Н. В., Пыхтуиова А. И. Мощные полевые транзисторы с р-п переходом.- М.: ЦНИИ Электроника , 1978.- 84 с- (Обзоры по электронной технике. Сер. 2. Полупроводниковые приборы; Вып. 7).

30. Аитонов М. И., Данилов В. С, Корнилова С. Н., Максименко Ю. Н.

Мощный полевой транзистор со статической индукцией КП801А, Б Электронная промышленность,- 1984.- № 8.- С. 36-39.

31. Fcst Static Induction Transistor Control up to 150 kW Electronic De-s.gn.- 1934.- Vol. 32, N 2.- P. 109-110.

32. Smart SIPMOS: Le.stungs Halbleitermit Intelligenz Siemens Components.- 1987.- N 5.- P. 182-186.

33. Полевые транзисторы на арсеииде галлия. Принцип работы и техноло-1ия изготовления / Под ред. Д. В. Ди Ларенца и Д. Д. Канделоула; Ilep. с англ. под ред. Г. В. Петрова.- М.; Радио и связь, 1988.- 320 с.

34. Шур М. CoBpe.iioHHbie приборы на основе арсенида галлия.- М.: Мир, 1991,- 210 г

35. Данилин Б. Н. Современный уровень и перспективы развития разработок по, - x транзисторов на арсеииде галлия.- М.: ЦНИИ < Электроника , 1979.- 37 с. (Обзоры по электронной технике. Сер. 2. Полупроводниковые приборы; Вып. 8).

36. Browne J. А GaAs FET Guide For Transistor Specifiers Microwaves & RF.- 19S7.- Vol. 26, N 5.- P. 270-271.

37. Чуа Л. О., Лин П.-М. Машинный анализ электронных схем: Пер. с англ. / Под ред. В. Н. Ильина.- М.: Энергия, 1980.- 640 с.

38. Влах И., Сиигхал К. Машинные методы анализа и проектирования электронных схем: Пер. с англ. / Под ред. А. А. Туркина.- М.: Радио и связь, 1988.- 500 с.

39. Minasian R. А. Power MOSFET Dynamic Large-Signal Model TEE PROC- 1983.- Vol. 130, N 2.- P. 73-75.

40. Бачурии В. В., Дьяконов В. П., Самойлова Т. А. Нелинейная статиче-- ая модель мощного МДП-транзистора Изв. вузов СССР. Сер. Радиоэлектроника.- 1983.- № П.- С. 41-45.

41. Швгш::еев П. А., Фомин Н. Моделирование полевого транзистора с барьером Шотки в режиме большого сигнала Электронная техника. (,ер. 3. Электроника СВЧ.- 1985.- № 9.- С. 40-42.

42. Рябинкн Ю. С. Аналитическая теория полевых транзисторов с корот- ;hv. зат1;ором Шотки.- М.: ЦНИИ Электроника , 1984.- 42 с. (Обзоры ио злектронной технике. Сер. 2. Полупроводниковые приборы; Вып. 1).

43. Старосельский В. Н. Нелинейная модель арсенид-галлиевых транзисторов с затвором Шотки Радиотехника и электроника.- 1981.- № 6.- С. 1299-1302.

44. Дьяконов В. П. Расчет нелинейных и импульсных устройств иа программируемых микрокалькуляторах.- М.: Радио и связь, 1984.- 176 с.

45. Дьяконов В. П. Справочник по расчетам иа микрокалькуляторах.- М.: Наука, 1985 - 464 с.

46. Дьяконов В. П. Справочник по алгоритмам и программам на языке Бейсик для персональных ЭВМ.- М.: Наука, 1989.- 240 с.

47. Дьяконов В. П. Применение персональных ЭВМ и программирование на языке Бейсик.- М.: Радио и связь, 1992.- 288 с.

48. Зубчук Е. П., Ш:;1ковский А. А. Метод аппроксимации нелинейных характеристик эле;-:тронных компонентов Изв. вузов СССР. Сер. Радиоэлектроника.- 1982.- Л9 12.- С. 75-77.

49. Дьяконов В. П., Смердов В. Ю., Фролков О. А. Нелинейная аппроксимация передаточных и выходных характеристик мощных .lДП-тpaнзи-сторов Полупроводни; свая электроника в те:нике связи: Сб. статей Под ред. И. Ф. Николаевского.- М., 1985.- Вып. 25.- С. 163-167.

50. Stein е., Schroder D. Comoutlng the Switching Behavior of Power MOSFET to Optimize the Circuit Design.- IPEC Tol<yo, 1983.- 336 p

51. Жаркой A. Г., Туев В. И. Аппроксимация вольт-амперных характеристик GaAs ПТШ со стабильными областями отрицательного сопротив-

ления Техника средств связи. Сер. Радиоизмернтельиая техника. 1988.- Вып. 8.- С. 36-39.

52. Дьяконов В. П. Лавинные транзисторы и их применение в импульсных устройствах.- М.: Радио и связь, 1973.- 208 с.

53. Кернер Б. С, Козлов В. А., Нечаев А. Н., Синкевич В. Ф. Исследование механизмов пробоя в структуре полевых транзисторов на GaAs Микроэлектроника.- 1983.- Т. 12, вып. 3,- С. 212-217.

54. Завражнов Ю. В. Характеристики и параметры мощных генераторных приборов Электронная техника. Сер. 2. Полупроводниковые приборы.- 1982.- № 1.- С. 12-18.

55. Завражнов Ю. В., Пупыкни Г. А. Методика определения характеристик и параметров мощных полевых транзисторов Электронная техника. Сэр. 2. Полупроводниковые приборы.- 1980.- № 5.- С. 72-77.

56. Л1ашуков Е. В., Хрунов Е. М., Шевцов Д. А. Моделирование ключей на силовых МДП-транзисторах Электронная техника в автоматике: Сб. с-атей / Под ред. Ю. И. Конева,- М., 1986.- Вып. 17.- С. 168-182.

57. Самойлова Т. А. Учет нелинейности емкостей мощного МДП-транзистора в режиме большого сигнала Изв. вузов СССР. Сер. Радиоэлектроника.- 1981.- № П.- С. 31-35.

58. Копаенко В. К., Романюк В. А. Эквивалентная схема ПТШ для расчета нелинейных СВЧ-устройств Изв. вузов СССР. Сер. Радиоэлектроника.- 1987,- № 1.- С. 47-50.

59. Дьяконов В. П., Адамов П. Г. Моделирование иа ЭВМ быстродействующих импульсных формирователей на мощных GaAs полевых транзисторах Радиотехника и электроника.- 1990.- № 2.- С. 406-409.

60. Завражнов Ю. В., Арапов В. Т. Параметры шума мощных высокочас-ютных полевых транзисторов Электронная техника. Сер. 2. Полу-вроводниковые приборы.- 1989.- Вып. 5.- С. 52-55.

61. Дьяконов В. П. Графоаналитический расчет импульсных схем иа полевых транзисторах Изв. вузов СССР. Сер. Приборостроение.- 1979.- .Y 5.- С. 63-65.

62. Дьяконов В. П., Фролков О. А. Наносекундиые двухтактные ключи на мощных МДП-транзисторах ПТЭ.- 1983.- № 2.- С. 102-103.

63. Щляхтии А. е.. Смердов В. Ю., Адамов П. Г. Быстродействующие двухтактные ключи на мощных МДП-транзисторах Техника средств :вязи. Сер. Радиоизмерительная техника.- 1985.- Вып. 3.- С. 112-114.

64. Дьяконов В. П., Бачурии В. В., Ремнев А. М. Статические вольт-ам-терные характеристики ненасыщающихся составных транзисторов иа биполярных и МДП-приборах Изв. вузов СССР. Сер. Приборостроение.- 1980.- № 4.- С. 64-68.

65. Дьяконов В. П., Ремнев А. М., Смердов В. Ю. Особенности работы составного ключа с МДП-транзистором Тез. докл. на IV Всесоюз. конф. Проблемы преобразовательной техники .- М., 1986.- С. 103-105.

66. Бачурии В. В., Дьяконов В. П., Ремнев А. М. Сильноточные ненасы-щающиеся ключи на составном транзисторе Электронная промышленность.- 1981.- Вып. 2.- С. 56-57.

67. Конев Ю. И., Машуков Е. В. Силовые ключи на МДП-траизисторах Электронная техника в автоматике: Сб. статей / Под ред. Ю. И. Конева.- М., 1983.- Вып. 14.- С. 5-13.

68. А. с. 155849, СССР. Транзисторный ключ / Ю. М. Чугуев, А. М. Ремнев, В. Ю. Смердов и др.- Опубл. 1990. Бюл. № 13.

69. Дьяконов В. П., Ремнев А. М., Смердов В. Ю. Моделирование процессов переключения мощных МДП-транзисторов в регуляторах напряжения Техническая электродинамика.- 1989.- № 2.- С. 82-86.

70. Машуков Е. В., Конев Ю. И., Леоиенко И. М. Процессы переключения силовых МДП-транзисторов в импульсных регуляторах мощности: Сб. статей / Под ред. Ю. И. Конева Электронная техника в автоматике.- М., 1982.- Вып. 13,- С. 8-16.

71. Ненахов С. Н., Дубова М. В. Энергетические проблемы миниатюризации низковольтных импульсных ИВЭП малой мощности.- М.: ЦНИИ Электроника , 1988. -51 с. (Обзоры по электронной технике. Сер. 5. Радиодетали и компоненты; Вып. 7).

72. Regan Р. V-MOS improves efficiency through swithing performance Electronic and Power.- 1979.- Vol. 35, N 9.- P. 629-633.

73. Гауен К- Схемы управления мощными МДП-транзисторами Электроника.- 1990.- № 11. С. 55-56.

74. Akagietal И. 130 kHz 7.5 kW. Current Sourse Inverters. Using Static Induction Transistor for Induction Heating Application. IEEE Trans, on Power Electronics.- 1988.- Vol. 3, N 3.- P. 304-309.

75. Кано Г., Шваза X., Такачи X., Тирамото Ч. Лямбда-диод - многсфунк-циональный прибор с отрицательным сопротивлением Электроника.- 1975.- № 13.- С. 48-50.

76. Дьяконов В. П., Семенова О. В. Расчет статических вольт-амперных характеристик лямбда -транзисторов на ЦВМ Изв. вузов СССР. Приборостроение.- 1977.- № 12.- С. 64-68.

77. Дьяконов В. П., Семенова О. В. Температурная зависимость вольт-амперных характеристик полевых лямбда -диодов и транзисторов Изв. вузов СССР. Приборостроение.- 1978.- № 1.- С. 69-71.

78. Семенова О. В. Расчет переходных процессов в переключающей :хеме на Л-транзисторе Электронная техника в автоматике: Сб. статей / Под ред. Ю. И. Конева.- М., 1980.- Вып. П.- С. 260-264.

79. А. С. 1195422, СССР. Устройство с Л-образными вольт-амперными характеристиками / В. П. Дьяконов, О. В. Семенова.- Опубл. 1984. Бюл. № 44.

80. Горяинов С. А., Абезгауз И. Д. Полупроводниковые приборы с отрицательным сопротивлением.- М.: Энергия, 1970.- 320 с.

81. Машукова Е. В., Конев Ю. И. Силовые МДП-ключи Электронная техника в автоматике: Сб. статей / Под ред. Ю. И Конева.- М,

1975.- Вып. 7.- С. 5-13.

82. Бачурин В. В., Дьяконов В. П., Новожилов А. М. Мощные полевые транзисторы во вторичных источниках питания Электронная промышленность.- 1982.- Вып. 1.- С. 27-30.

83. Уитсон Д. Ш. 500 практических схем на ИС: Пер. с англ.- М.- Мир. 1992.- 376 с.

84. Дьяконов В. П., Долин В. М. Компенсационные стабилизаторы с регулирующим мощным МДП-траизистором ПТЭ.- 1982.- № 1.- С. 158-160.

85. Зиенко С. И. Импульсные регуляторы и стабилизаторы с регулирующим мощным МДП-транзистором ПТЭ.- 1982.- № 1.- С. 158-160

86. Зиенко С. И. Импульсные регуляторы и стабилизаторы напряжения.- М.: МЭИ, 1980.- 72 с.

86. Поликарпов А. Г., Сергиеико Е. Ф. Однотактные преобразователи напряжения в устройствах электропитания РЭА.- Л1: Радио и связь, 1989.- 160 с.

87. Kroczek К. D. Bessere Schaltnetzteite durch VMOS-Leistung Stransus-toren Elektron. Des.- 1978.- N 4.- P. 108-110.

88. Convertisseur de tension 9 V/150V Inter Electronique.- 1981.- N Э.- P. 27.

89. Rebold I., Schultz W. Low-Cost. Closed-Loop DC Motor Controlle- PCIM.- 1988.- Vol. 14. N 8.- P. 67.

90. Кибакин В. М. Основы ключевых методов усиления.- М.: Энергия, 1980.- 232 с.

91. Роер Б. Повышение частоты преобразователя напряжения при помощи УМОП-транзистора Электроника.- 1980.- № 26.- С. 60-61.

92. Heinzer W. Dont trade off analog-switch specs Electron. Des.- 1977.- N 15.- P. 56-61.

93. Schumbrutzki W. Aufwandarne SIPMOS-Hall Brucke fur Frequenzum richter IEEE.- 1985.- N 10.- S. 43-46.

94. Gaukrodger D. M. Opto-isolated high voltage driver Electron. Eng.- 1986.- Vol. 58, N 74.- P. 33-35.

95. Берн У. У., Кочецки Дж. Энергетический электроника для микрокомпьютерной техники ТИИЭР.- Т. 76, № 4.- С. 10-24.

96. Бассет Д. Импульсные источники питания: тенденции развития Электроника.- 1988.- № 1.- С. 72-77.

97. Дж. Кассакян, М. Ф. Шлехт. Высокочастотные преобразователи высокой удельной объемной мощности для распределенных систем электропитания ТИИЭР.- 1988.- Т. 76, № 4.- С. 67-83.

98. Правильный выбор источника питания Электроника.- 1981.- № 12- С. 103-108.

99. Семенова О. В. Стабилизирующий преобразователь на мощных МДП-транзисторах Высокоэффективные источники и системы вторичного электропитания РЭА.- М.: МДНТП.- 1986,- С. 107-109.

100. Ли Ф. Будущее -за резонансными источниками питания Электроника.

- 1990.- № 2.- С. 71-72.

101. Ли Ф. Высокочастотные квазирезонансные преобразователи ТИИЭР.

- 1989.- Т. 76, № 4.- С. 83-97.

102. Источники вторичного электропитания / В. А. Головацкий, Г. Н. Гуля-ковнч, Ю. И. Коиев и др.; Под ред. Ю. И. Конева.- М.: Радио и связь, 1990.- 220 с.

103. Работа мощных СВЧ МДП-транзисторов в импульсном режиме /

B. В. Бачурин В. П. Дьяконов, С. И. Зиенко и др. Микроэлектроника и полупроводниковые приборы: Сб. статей / Под ред. А. А. Васенкова и Я. А. Федотова.- М., 1980.- Вып. 5.- С. 59.

104. Дьяконов В. П. Мощные МДП-транзнсторы в импульсных устройствах ПТЭ.- 1980.- № 3.- С. 115-117.

105. Дьяконов В. П. Рециркуляторы на мощных высокочастотных МДП-траизисторах ПТЭ.- 1990.- № 4.- С. 99-102.

106. Дьяконов В. П. Генератор наносекундных импульсов иа лавинных и мощных МДП-транзнсторах ПТЭ.- 1980.- № 4.- С. 101-103.

108. Дьяконов В. П. Амплитудные дискриминаторы наносекундных импульсов на лавинном и мощном МДП-транзисторах ПТЭ.- 1981.- № 2.-

C. 103-105.

109. Дьяконов В. П. Генераторы импульсов с широким спектром на лавинном и мощном СВЧ МДП-транзисторах Полупроводниковая электроника в технике связи: Сб. статей / Под ред. И. Ф. Николаевского.- М., 1984.- Вып. 24.- С. 5-8.

ПО. Дьяконов В. П., Семенова О. В. Генератор импульсов. А. с. № 661721

СССР.- Опубл. 1979. Бюл. № 17. 111 Дьяконов В. П., Семенова О. В. Генератор импульсов на лямбда -

транзисторе ПТЭ.- 1979.- № 6.- С. 100-102.

112. Агаханян Т. М. Линейные импульсные усилители.- М.: Связь, 1970 - 470 с.

113. Лурье О. Б. Усилители видеочастоты.- М.: Радио и связь, 1981.- 675 с.

114. Дьяконов В. П. Мощные широкополосные импульсные усилители на МДП-транзисторах ПТЭ.- 1980.- Ns 4.- С. 96-98.

115. Агаханян Т. М., Гаврилов Л. Е., Мищенко Б. Г. Основы наносекундной импульсной техники.- М.: Атомиздат, 1976.- 376 с.

116. Шапиро Л. Я. Усилители с распределенным усилением.- М.: Связь, 1965.- 240 с.

117. Алексеев О. В. Усилители мощности с распределенным усилением.- Л.: Энергия, 1968.- 223 с.

118. Скляренко А. И. Линейные импульсные усилители с распределенным усилением на МДП-транзисторах ПТЭ.- 1980.- № 5.- С. 109-112.

119. Смердов В. Ю., Адамов П. Г. Усилители с распределенным усилением на мощных МДП-транзисторах и фильтрах М-типа Изв. вузов СССР. Сер. Радиоэлектроника.- 1984.- Т. 27, № 3.- С. 61-63.

120. Дьяконов В. П., Смердов В. Ю. Усилитель на мощных МДП-транзисто-ах с субианосекундным временем установления ПТЭ.- 1980.- Го 3.- С. 127-129.