Главная страница  Схемотехнология полевых транзисторов 

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 [ 43 ] 44 45 46

ных процессов в схеме рис. 10.20 представлены на рис. 10.23. Сравнение их с аналогичными данными для обычного ключа (см. рис. 10,6 и 10.7) показывает уменьшение времен переключения в несколько раз.

5ИЗ NETLIST

N0 11 12 13 15 16 23 24 25

TYPE

HMOS TRANS

RESISTOR

BATTERY

PHP TRAHS

NPN TRAHS.

BATTERY

V<T>

RESISTOR

В 3 2 0 4 4 0 0

D 1 1 2 3 5 5 6 4

PARAHBTER

KP803

PULSBl 100

LIBRARY BLBHBNTS USIO

KP803 BETA= .06 RD= 4

CGC= 5E-12 COUT= 2B-U

BF= 50 EG= 1,11 RC= 0 HJC= .33 CSUB= lK-12

BF= 50 BG= 1.11 RC- 0 HJC- ,33 CSUB= lE-12

PULSBl P0= 0

P4= .0000003

VT0= 3.1 RS= 0 GAHA= 0

BR= 1

CJC0= IK-12 ?A= 50 VJC= .75

BR= 1

CJCe= lK-12 VA= 50 VJC= .75

Pl= 20

P5= 3,lE-07

CGD= 7.5K-12 BBTC= 0 LAHB= .00003

BTC= 2000 CJB0= 2K-12 TF= 2B-10 HJK= .33

BTC= 2000 CJK0= 2E-12 TF= 2K-10 HJK= .33

P2= .0000001 P6- .01

CGS= вВ-Ю mC=0.5000B-02 PHI= .6

IS= lE-14 RB= 0 TR= 6B-09

VJE= .75

IS= lB-14

RB= 0 TR: 6E-08 VJB= .75

P3= l.lB-07

I::.:...

...............

.......;.....-........................

...........

..............

...............

...............

I........J,...............

.llIZljZlJlZZ.

...............

..............

...............

..............

...............

...............

..............

..............

.......1 ].....

../.......

..............

...............

...............

..............

..л......

...............

\............

.....

Ш m HS

25,51 : BM ПМ

1.89 -5.89 18.81 2

(.89 1

6.89

4.80

2,89

8.89

Рис. 10.23. Переходные процессы схемы рис. 10.2,1 (полученные с помощью

программы MicroCAP)

ШШ

Рис. 10.22. Формуляр схемы рис. 10.20

Для запуска мощных МДП-транзисторов могут использоваться микросхемы на комплементарных ПТ с напряжением питания до 12... 20 В. На рис. 10.24 представлена схема ключа, запускаемого от трех комплементарных инверторов. Включение трех инверторов обеспечивает обострение фронтов их выходных импульсов. Формуляр этой схемы представлен на рис. 10.25, а результаты моделирования переходных процессов -иа рис. 10.26. Из рис. 10.25 можно сделать вывод, что КМДП-инверторы способны раскачать ключ на мощном УМДП-транзнсторе. Однако времена переключения ключа оказываются хуже, чем при запуске от повторителя на комплементарных биполярных транзисторах. Схема на рнс. 10.23 показывает на реальную возможность создания микросхем, содержащих силовой ключ с встроенной схемой запуска на ПТ (такие микросхемы уже созданы за рубежом).

POSi,


Н 3- 5

Рис. 10.24. Ключ с запуском от КМДП-инверторов 17-4462



MOPSN HBTLIST

ИО. 1 2

10 11 12 13 16 18 20 22 25 26

ТУРЕ

HHOS TRAHS. NNOS TRAHS. HHOS TRANS. PHOS TRAHS. PHOS TRAHS. PHOS TRANS. V(T)

HHOS TRAHS.

RKS.TSTOR

BATTERY

BATTERY

RESISTOR

ВГГА= .22 RD= 2 CGC= 0

COUT= 1.2E-10 04

BBTAr .01 R0= 0

CGC= 5E-12 COUT= lE-14

Pl/LSSl P0= 0

P4.: .0000003

KP701 BETA= .22 RD- 2

CGC= 0

СОаТ= 1.2E-10

VT0= 7.5 RS= 0 GAHA= 0

VT0=-2 RS= 0 GAMA= .

Pl= 20

P5= 3.1Б-07

VTO: 7.5 RS= 0 GAHA= 0

PARAHETER

PULSIl

IP701

LIBRARY BLEHBHTS USED

CGD= 2E-11 BBTC= 0 LAMB= .00003

CGD= lE-12 BBTC= 1500 LAMBr .001

P2= .0000001 P8= .01

CGD= 2E-11 BETC= 0 LAHB= .00003

CGS= 7.5E-10 VTTC=0.5000E-02 PHIr .6

CGS= UE-12 VTTC=0.5000E-02 PHI= .8

P3= l.lE-07

CGS= 7.5E-10 ¥TTC=0.5000E-02 PHIr .8

Рнс. 10.25. Формуляр схемы, приведенной на рис. 10.23

-4.В8 4,й 12.в8 28.88 .12 .89 .87 .84 .82 8.88

NOPSU

..............

2

.............

...............

................

8.88 S

3.88 К. 88 24.88 32.88 48.88

128 248 TIME IN NS

Рис. 10.26. Переходные процессы в схеме, приведенной на рис, 10.23

10.5. Моделирование двухтактных ключей и инверторов


Рнс. 10.27. Двухтактный ключ



10.5. Моделирование двухтактных ключей и инверторов

Двухтактные ключи являются скоростными переключающими схемами, способными работать на емкостную и низкоомную нагрузку. На рис. 10.27 представлена схема двухтактного ключа на высоковольтных мощных \ МДП-транзисторах КП702. Формуляр этой схемы не приводится, поскольку параметры приборов КП702 описывались ранее. Для оптимизации временных параметров двухтактного ключа первый транзистор желательно брать менее мощным, чем оконечные транзисторы, так как он имеет меньшие времена перектючения. Однако в данной схеме все транзисторы взяты высоковольтными и одинаковыми.

На рис. 10.28 представлены результаты моделирования двухтактного ключа, приведенного на рис. 10.27. Можно заметить, что ключ имеет малое

2 25.Вв 2в.Вв 1S.N 18,08 5,88 8.88 .12


.18 .87 .85 .82 8.88

...............

...............

...............

..............

...............

...............

...............

...............

...............

...............

.......

180 280 TINE IN NS

.18 К .87 .85 .82 8.88

380 480 580

Рис. 10.28. Переходные процессы в схеме, приведенной на рис. 10.27

время включения (около 20 не) и довольно значительное (до 100 ис) время выключения. Последнее связано с большими емкостями структуры приборов КП702. Результаты мод.-:.:оования ключей на СВЧ-транзисторах с горизонтальным канало.м КП905, КП907, КП908 показывают, что нх времена переключения доходят до 1,5...3 НС (при амплитуде выходных импульсов до

В преобразователях широкое применение нашли полумостовые инверторы. Схема такого инвертора представлена на рис. 10.29. Здесь импульсные источники PULSE10 и PULSE11 используются для парафазного запуска силовых ключей. Схема несколько идеализирована, так как на практике запуск осуществ.яется черз развязывающие трансформаторы. Тем не менее моделирование такой схемы позволяет наглядно представить протекающие в ней процессы (рис. Ю.оС;.

0,01

1Н 30 0.01

RISEIO 1К

1501

Рис. 10.29. Полумостовой инвертор

5 .25 I .15

.

-.85 -.13

-.23 5 5. 3 3.

-3,80

..............

...............

..............

.......

............

...............

:(;:

.........у*

V;......

Л.........

........7

Г......]

...............

...............

.48 .88 TINE IN US


7.58 1 4,58 1.38 й -1.58

-7.59 5,§8 7

i,S9 ЛМ -3.80 -5.80

1.20 1.(8 2

Рис. 10.30. Переходные процессы в схеме, показанной на рис. 10.29



1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 [ 43 ] 44 45 46

© 2000 - 2022 ULTRASONEX-AMFODENT.RU.
Копирование материалов разрешено исключительно при условии цититирования.