Постоянный ток смещения базы Ig = yfipE = 10/200 = 0,05 мА.
Изменение тока коллектора
Д/ = Igfig = 0,01 . 175 = 1,75 мА.
Неболыиие замечания и советы
Коэффициент усиления тока hf сшшо зависит от юка коллектора транзистора. У матомощных транзисторов его максимальное значение
находится в интервале от 1 до 10 мА. Особенно сильно значение эгого коэффициента снижается у мощных транзисторов при значительных то-icax.
Большинство параметров транзистора (особенно А) сильно изменяются от экземпляра к экземпляру- Поэтому для надежной работы схемы очень важно рассчитать ее таким образом, чтобы ее характеристики слабо зависели от парамегров транзисторов, либо определить наихудший вариант сочетания параметров и спроектировать работоспособную схему именно для этого случая.
Для того чтобы максимально использовать частотные возможности транзистора, т.е. работать на частотах, близких к fj-, следует применять схему включения с обшей базбй.
Следует также иметь в виду, что допустимая мощность, выделяющаяся в коллекторном переходе транзистора, линейно снижается до нуля при 100 °С после того, как температура коллекторного перехода начинает превышать 40 С
Полевые транзисторы
Полевой транзистор с управляющим р-я-переходом представлен иа рис. 5.6,а. Он имеет три электрода; исток, сток и затвор. Если на затворе отсутствует напряжение, а на сток подано положительное напряжение относительно истока, то между истоком и стоком через и-канал течет максимальный ток.
Затвор (G-) Исток (S) Сток(1))
Изолятор
б Й В
п-канал
р -подложка
Исток (S)
Затвор (О)
Сток (в)
Изолятор I -mfm-Jjr
п-канал
р-подложка
Рис. 5.6. Структуры полевых транзисторов с управляющим р-и-переходом (р) и с изолированным затвором (б)
